[发明专利]制造纵向MOS晶体管的方法

权利要求书

1.制造纵向MOS晶体管的方法，

-其中，含有下层源/漏区，沟道区和上层源/漏区的台面结构，通过向半导体基片的主表面施加并结构化一半导体层序列形成，

-其中，与半导体层序列一起结构化的第一辅助层被施加在半导体层序列上，

-其中，下层源/漏区的连接区侧向于台面结构形成在半导体基片中，

-其中，形成基本上覆盖至少下层源/漏区侧壁的绝缘结构，

-其中，栅介质和其高度基本上等于沟道区高度的栅电极被形成在沟道区的侧壁上，

-其中，为了形成绝缘结构，施加一绝缘层，其厚度大于或等于半导体层序列厚度，并且该绝缘层用化学机械抛光被平面化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，为了形成连接区进行离子注入，在注入时台面结构的边缘覆盖有掩膜侧墙。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

-其中，以基本上保形的边缘覆层施加绝缘层并且其厚度基本上等于半导体层序列的厚度，

-其中，施加第二辅助层，它具有与第一辅助层相同的刻蚀特性和基本上相同的厚度，

-其中，第二辅助层是这样结构化的，绝缘层的表面至少在第一区域内露出，第一区域侧向重叠台面结构并且其侧向尺寸分别比台面结构相应的侧向尺寸大绝缘层层厚度的两倍，

-其中，第一辅助层的表面通过化学机械抛光绝缘层露出，

-其中，使用第一辅助层和第二辅助层作为掩膜，绝缘层被刻蚀至这样的程度，沟道区的侧壁基本上被露出，

-其中，栅介质形成在沟道区的侧壁上，

-其中，制造基本上填充绝缘层和台面结构间中间空隙的导电层，

-其中，栅电极由反刻蚀导电层形成。

4.根据权利要求3所述的方法，

-其中，在第二辅助层结构化的过程中，绝缘层表面还在邻接第一区域的第二区域中露出，

-其中，当暴露沟道区侧壁时，绝缘层同样在第二区域内被刻蚀，以便在第一区域和第二区域中形成一连在一起的开孔，

-其中，开孔基本上用导电层填充，

-其中，在栅电极形成之后，第一区域和第二区域被提供以绝缘填料，

-其中，第一辅助层和第二辅助层被相对于绝缘层和相对于绝缘填料选择性地除去，此时上层源/漏区的表面被露出，

-其中，在第二区域中开出一直到栅电极的接触孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在第一辅助层和第二辅助层被除去之前，施加第三辅助层，相对于该层第一辅助层和第二辅助层可以被选择性刻蚀，并且该层被这样结构化，第一辅助层露出而第二区域被第三辅助层覆盖。

6.根据权利要求3至5之一所述的方法，

-其中，第一辅助层和第二辅助层由氮化硅组成，

-其中，第三辅助层由多晶硅组成，

-其中，绝缘层和绝缘填料含有二氧化硅，

-其中，导电层含有掺杂多晶硅。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，连接区的和/或栅电极的和/或上层源/漏区的表面被提供以金属硅化物。

8.根据权利要求1或2所述的方法，

-其中，用化学机械抛光和刻蚀结构化绝缘层以便形成绝缘结构，该绝缘结构侧向于台面结构设置并且其厚度基本上等于下层源/漏区的高度，

-其中，沟道区的侧壁被露出并被提供以栅介质，

-其中，淀积并结构化导电层以便形成栅电极，

-其中，施加覆盖栅电极的另一绝缘层，

-其中，形成至连接区，栅电极和上层源/漏区的接触。

9.根据权利要求8所述的方法，

-其中，绝缘层，另一绝缘层和/或绝缘填料含有二氧化硅，

-其中，第一辅助层含有氮化硅，

-其中，导电层含有掺杂多晶硅。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，连接区的和/或栅电极的和/或上层源/漏区的表面被提供以金属硅化物。