[发明专利]芳族卤化物的还原

说明书

本发明涉及一种还原芳族卤化物的方法。

大量芳族卤化物还原方法已为人所熟悉。

要还原芳族卤化物，已知有还原剂如Cr(ClO₄)₂/乙二胺[88OSCo116/821]，锡/HBr[55OSCo113/132]，用阮内镍[91 CEX 109]或Pd/水合肼[59JOC421]催化还原，其它还原剂如K-Selectride/CuI[NaBH₄/(Me₃Si)₃SiH[89TL2733]，LiAlH₄[83JA631，82TL1643，59JOC917，59JOC917，89TH3329]或类似的复合氢化物如LiAlH(OMe)₃/CuI[73JA6452]。还原剂LiAlH₄通常与催化量或化学计算量的无机卤化物如CeCl₃[85CL1491]，TiCl₄[73CL291]，FeCl₂，CoCl₂，TiCl₃，NiCl₂[78JOC1263]一起使用，或通过加入这些产生其它还原剂。在还原芳族卤化物中，已知使用LiAlH₄的附加条件就是同时光照[83CC907]或超声[82TL1643]。方框内的号码是指参考文献序列号。

尽管有许多已知的方法，实际上这样的情况不断地出现，其中用LiAlH₄还原进程缓慢和/或产率不满意。尽管延长反应时间，使用更大摩尔过量的LiAlH₄，改换溶剂(例如用四氢呋喃而非乙醚)，或者增加反应温度，但特别是在较大的起始体积的情况下，经常会产生问题，产率降低以及产生副反应。存在于待还原化合物中的其它取代基经常与催化还原法或就地产生的氢不相容。其它复合氢化物或氢化物试剂相比于LiAlH₄活性经常不足以以令人满意的产率还原芳族卤化物。

本发明的目的是提供一种还原芳族和杂芳族卤化物的方法，它能更快地完成还原并有高的产率，即使在使用较大的反应体积的情况下也是如此。

根据本发明这可以通过权利要求1的方法得以实现。

本发明方法优选和有利的实施方案是从属权利要求的主题。

本发明可以采用许多还原剂，可用还原剂的实例有：氢化物试剂如DiBAL-H(二异丁基铝氢化物)，DiBAL-H/ZnCl₂，异丙醇铝，Red-Al^(钠-二(2-甲氧基乙氧基)铝氢化物(Aldrich))，K-Selectride^(三仲丁基氢硼化钾(Aldrich))，L-Selectride^(三仲丁基氢硼化锂(Aldrich))，KS-Selectride^(三-siamyl氢硼化钾(Aldrich))，LS-Selectride^(三-siamyl氢硼化锂(Aldrich))，Li-三-叔丁氧基-AlH，Li-三-乙氧基-AlH，9BBN(9-硼二环[3.3.1]壬烷)，Super-Hydride^(三乙基氢硼化锂(Aldrich))，NaBH₄，Zn(BH₄)₂，AlH₃·AlCl₂H或者这些还原剂的混合物，优选LiAlH₄。

本发明的方法在于用一种还原剂(特别是LiAlH₄)在有氧存在下(例如空气或氧气和惰性气体的混合物)还原(杂)芳族卤化物。这与通常使用还原剂如LiAlH₄的反应条件相反(根据通常的反应条件必须在惰性气体(例如氮气，氩或氦气)下进行反应)，而将任选用惰性气体稀释的氧气吹入或抽吸通过反应混合物。由此可缩短反应时间和重现性地增加产率。

本发明提供一种有效的和工业上可应用的、用还原剂如LiAlH₄在氧气存在下还原(杂)芳族卤化物的方法。

根据本发明，还原例如按以下的流程进行：

流程1