[发明专利]以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构

权利要求书

1.一种以碳化硅材料为基材的半导体结构，它具有多个不同电气特性的半导体区，其中至少有：

-第一半导体区(G1)，

-第二半导体区(G2)，其表面包围第一半导体区(G1)的表面，即第一分型面(F1)，以及

-另一半导体区(G3)，其表面包围第二半导体区(G2)的表面，即第二分型面(F2)，其特征在于：

a)第一分型面(F1)的边部(R1)的轮廓被预先给定，

b)第二分型面(F2)的边部(R2)的轮廓由第一分型面(F1)的边部(R1)的轮廓所决定，其方法为：虚拟地以第一分型面(F1)的边部(R1)上的各点为圆心，以恒定半径(r)作圆(K_j)，所有的圆有一个共同的外包络线(U)，它确定第二分型面(F2)的虚拟精确边部(R_e)的轮廓，第二分型面(F2)的实际边部(R2)与该精确边部(R_e)最大间隔为±10nm。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：另一半导体区是第三半导体区(G3)，它是第四半导体区(G4)的分区，它的边部间隔一定距离包围第二半导体区(G2)的边部。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于：第三半导体区(G3)基本上类似第二半导体区(G2)的中心对称扩展的图像，且在预定偏差范围内。

4.根据上述任一项权利要求所述的结构，其特征在于：另一半导体区(G3或G4)至少包含两个包围第一半导体区(G1)的第二半导体区(G2)。

5.根据上述任一项权利要求所述的结构，其特征在于：第一半导体区(G1)的表面、第二半导体区(G2)的表面、第三半导体区(G3)的表面处于一个共同平面E。

6.根据上述任一项权利要求所述的结构，其特征在于，第二分型面(F2)的边部(R2)距第一分型面(F1)的边部(R1)的侧间距(a，a’，a1，a2)在50nm至300nm之间。

7.根据上述任一项权利要求所述的结构，其特征在于，该结构被设计成MISFET结构，尤其是MOSFET结构，JFET结构，MESFET结构或IGBT结构。