[发明专利]保护电路无效
申请号: | 98808781.2 | 申请日: | 1998-07-13 |
公开(公告)号: | CN1269911A | 公开(公告)日: | 2000-10-11 |
发明(设计)人: | H·诺斯特伦;J·K·约恩松 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永,张志醒 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 | ||
1.用来保护集成电路(11)免受静电放电——即所谓的ESD损害的保护电路,所述集成电路通过一个Vcc-焊盘(2)和一个地焊盘(3)接至供电电压,其特征在于它包括一个输入焊盘(14)和至少一个PNP晶体管(20),该输入焊盘接至集成电路,而PNP晶体管的集电极接至该输入焊盘,该PNP晶体管的发射极接至Vcc-焊盘或地焊盘。
2.根据权利要求1的保护电路,其特征在于它包括主保护电路(17),该主保护电路(17)连接在Vcc-焊盘与地焊盘之间并且设置得用来防止其间的ESD脉冲。
3.根据权利要求1的保护电路,其特征在于PNP晶体管的基极接至其发射极。
4.根据权利要求2的保护电路,其特征在于PNP晶体管的基极通过具有预定阻值的电阻(24)接至其发射极。
5.根据权利要求2的保护电路,其特征在于PNP晶体管的发射极接至Vcc-焊盘,它还包括第二PNP晶体管,该第二PNP晶体管的集电极接至输入焊盘,该第二PNP晶体管的发射极接至地焊盘。
6.根据权利要求1-5中任一个的保护电路,其特征在于它包括至少第一二极管(15b),第一二极管(15b)的正极接至输入焊盘,第一二极管(15b)的负极接至Vcc-焊盘。
7.根据权利要求1-6中任一个的保护电路,其特征在于它包括至少第二二极管,第二二极管的正极接至输入焊盘,第二二极管的负极接至地焊盘。
8.根据权利要求1-7中任一个的保护电路,其特征在于PNP晶体管是集电极与发射极之间有一预定距离的横向型晶体管。
9.根据权利要求1-8中任一个的保护电路,其特征在于将PNP晶体管和输入焊盘集成在一个共同衬底(25)上,该共同衬底(25)掺杂到第一导电类型中。
10.根据权利要求1-9中任一个的保护电路,其特征在于输入焊盘包括一金属层(61)、至少一个第二导电类型的下层掺杂层(63,65)和接至该掺杂层的所述第二导电类型的触点(71)。
11.根据权利要求10的保护电路,其特征在于输入焊盘的金属层为八边形。
12.根据权利要求10或11的保护电路,其特征在于输入焊盘包括绝缘材料的沟道(73),该沟道(73)包围下层掺杂层。
13.根据权利要求12的保护电路,其特征在于输入焊盘包括包围该沟道的低电阻去耦装置(75)。
14.根据权利要求13的保护电路,其特征在于低电阻去耦装置包括扩散衬底触点。
15.根据权利要求13或14的保护电路,其特征在于低电阻去耦装置包括填充有导电材料的深衬底触点,导电材料尤其是钨或者高掺杂的多晶硅。
16.根据权利要求15的保护电路,其特征在于衬底触点借助CVD工艺受到填充。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的