[发明专利]具有薄板的片上引线型半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 99100229.6 申请日: 1999-01-19
公开(公告)号: CN1224241A 公开(公告)日: 1999-07-28
发明(设计)人: 稻叶健仁 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/00;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,余朦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 薄板 引线 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.具有片上引线结构的半导体器件,其包括一被安置在半导体元件(1B)的外围区域并具有与所述半导体元件厚度大体上相同的薄板(9)。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述薄板被分成多块(9A、9B)。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,形成多个通过所述薄板的通孔。    

4.一种半导体器件,其包括:

一具有内引线(31)和外引线(32)的引线框架(3);

一借助于粘结带(4)与所述内引线粘结的半导体元件(1B);以及

一被安置在所述半导体元件的外围区域并借助于所述粘结带与所述内引线粘结的薄板(9)。

5.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,所述薄板被分成多块(9A、9B)。

6.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,形成多个通过所述薄板的通孔。

7.如权利要4所述的半导体器件,其特征在于,所述薄板是导电的,并借助于焊丝(5)与所述内引线和所述半导体元件的电极(2)焊结。

8.一种半导体器件,其包括:

一具有内引线(31),外引线(32)和母条(33)的引线框架(3);

一借助于粘结带(4)与所述内引线和所述母条粘结的半导体元件(1B);以及

一被安置在所述半导体元件的外围区域并借助于所述粘结带与所述内引线和所述母条粘结的薄板(9)。

9.如权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,所述薄板被分成多块(9A、9B)。

10.如权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,形成多个通过所述薄板的通孔。

11.如权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,所述薄板是导电的,并借助于焊丝(5)与所述内引线和所述半导体元件的电极(2)焊结。

12.一种制造半导体器件方法,其包括以下各步骤:

借助于粘结带(4)使半导体元件(1B)和引线框架(3)的内引线(31)粘结;

借助于所述粘结带使薄板(9)与所述内引线粘结,在粘结后,使其设置在所述半导体元件的外围区域;以及

在粘结所述薄板之后,借助于焊丝(5)使所述半导体元件的电极(2)与所述内引线连接。

13.如权利要求12所述的制造半导体器件的方法,其特征在于,所述薄板的厚度大于所述半导体元件的厚度。

14.一种制造半导体器件方法,其包括以下各步骤:

借助于粘结带(4)使半导体元件(1B)和引线框架(3)的内引线(31)粘结;

在粘结半导体元件之后,借助于所述粘结带使导电的薄板(9A、9B)与所述内引线粘结,使其设置在所述半导体元件的外围区域;以及

在粘结所述薄板之后,借助于焊丝(5)使所述半导体元件的电极(2)与所述内引线和所述导电的薄板连接。

15.如权利要求14所述的制造半导体器件的方法,其特征在于,所述薄板的厚度大于所述半导体元件的厚度。

16.一种制造半导体器件方法,其包括以下各步骤:

借助于粘结带(4)使薄板(9)和引线框架(3)的内引线(31)粘结;

在粘结所述薄板之后,借助于所述粘结带使半导体元件(1B)与所述内引线粘结,使所述薄板被设置在所述半导体元件的外围区域中;以及

在粘结所述半导体元件之后,借助于焊丝(5)使所述半导体元件的电极(2)与所述内引线连接。

17.如权利要求16所述的制造半导体器件的方法,其特征在于,所述薄板的厚度小于所述半导体元件的厚度。

18.一种制造半导体器件方法,其包括以下各步骤:

借助于粘结带(4)使导电薄板(9A,9B)和引线框架(3)的内引线(31)粘结;

在粘结所述导电的薄板之后,借助于所述粘结带使半导体元件(1B)与所述内引线粘结,使所述薄板被设置在所述半导体元件的外围区域中;以及

在粘结所述半导体元件之后,借助于焊丝(5)使所述半导体元件的电极(2)与所述内引线和所述导电薄板连接。

19.如权利要求18所述的制造半导体器件的方法,其特征在于,所述薄板的厚度小于所述半导体元件的厚度。

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