[发明专利]电子束单元投影孔径生成方法

权利要求书

1．一种电子束投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：把聚焦的离子束施加到基片顶表面的步骤，以便蚀刻成可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度以在所述顶表面形成想要的图形的开口；以及

把所述聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的所述基片底表面的步骤，以便蚀刻到达到所述开口的深度。

2．一种电子束单元投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：

把聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的基片底表面的步骤，以便蚀刻成可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度，以及

把所述聚焦的离子束施加到其底表面已被蚀刻的所述基片的顶表面的步骤，由此形成想要的图形的开口。

3．一种电子束单元投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：

把聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的基片底表面的步骤，以便蚀刻成可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度，以及

把所述聚焦的离子束进一步施加到已被蚀刻的所述基片的所述底表面的步骤，由此形成想要的图形的开口。

4．一种电子束单元投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：

把聚焦的离子束施加到基片顶表面的步骤，以便通过蚀刻所述图形的周边部分到可获得用于吸收或散射电子束的足够的第一薄膜厚度的深度，并蚀刻所述图形的中心部分到可获得比所述第一薄膜厚度小的第二薄膜厚度的深度，从而在想要的位置蚀刻具有不同蚀刻深度的所需要的图形的开口，以及

把所述聚焦的离子束施加到除去边缘部分的所述基片的底表面的步骤，以便均匀蚀刻到达到所述开口的最深部分的深度以形成一通孔，同时所述开口的其它部分具有保留的薄膜。

5．一种电子束单元投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：

把聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的基片底表面的步骤，以便均匀蚀刻到可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度，以及

把所述聚焦的离子束施加到所述基片的顶表面的步骤，以便在根据所述基片上的一位置控制蚀刻深度的同时进行蚀刻，由此获得具有不同深度的想要的图形的开口，这样，所述开口的最深部分为一通孔，所述开口的其它部分具有如同所述开口底部的薄膜。

6．一种电子束单元投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：

把聚焦的离子束施加到除去其边缘部分的基片底表面的步骤，以便均匀蚀刻到可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度，以及

把所述聚焦的离子束进一步施加到已被蚀刻的所述基片的所述底表面的步骤，以便在根据所述基片上的一位置控制蚀刻深度的同时进行蚀刻，由此获得具有不同深度的想要的图形的开口，这样，所述开口的最深部分为一通孔，所述开口的其它部分具有如同所述开口底部的薄膜。

7．一种电子束单元投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：

把聚焦的离子束施加到基片顶表面同时把蚀刻气体施加到所述离子束照射的位置的步骤，以便蚀刻到可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度并且在所述基片的所述顶表面上形成所需的图形的开口，以及

把所述聚焦的离子束和所述蚀刻气体施加到除去所述基片边缘部分的所述基片的底表面的步骤，由此均匀蚀刻至达到开口的深度。

8．一种电子束单元投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：

把聚焦的离子束施加到基片底表面同时把蚀刻气体施加到所述离子束照射的位置的步骤，以便均匀蚀刻除去所述基片边缘部分的基片底表面至可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度，以及

把所述聚焦的离子束施加到底表面已被蚀刻的所述基片的顶表面同时把蚀刻气体施加到所述聚焦的离子束照射的位置的步骤，由此形成所需要的图形的开口。

9．一种电子束单元投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：

把聚焦的离子束施加到基片底表面同时把蚀刻气体施加到所述离子束照射的位置的步骤，以便均匀蚀刻除去所述基片边缘部分的基片底表面至可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度，以及

把所述聚焦的离子束进一步施加到已被蚀刻的所述基片的所述表面同时把蚀刻气体施加到所述聚焦的离子束照射的位置的步骤，由此形成所需要的图形的开口。