[发明专利]可修改的半导体电路元件

权利要求书

1.一种集成电路芯片(10)，包括

衬底(36)；

叠置在衬底上的多个金属层(M3、M4)；

包括与衬底相邻的下层(M3)和在下层上设置且与下层隔开的上层(M4)的金属层；

包括衬底上多个电路元件(16)的电路；

多个存取元件(20)，每个关联并电连接到一个电路元件；

每个存取元件包括下层中的端子(32)、上层中的细长的跨接元件(30)，跨接元件具有叠置并电连接到第一端子的第一端，以及叠置并电连接到第二端子的第二端(34)。

2.根据权利要求1的集成电路芯片，其中对至少一个电路元件，一个端子(34)连接到电路元件，由此切断跨接元件可以将电路元件与其它的端子和任何连接的电路断开。

3.根据权利要求1或2的集成电路芯片，其中电路元件具有输入节点(22)和输出节点(24)，其中存取元件连接到至少一个输入和输出节点，由此切断跨接元件可以功能地断开电路元件。

4.根据权利要求1到3中任意一个的集成电路芯片，其中电路元件具有多个界面节点(22、24)，所有的界面节点必须连接到电路的其它部分，用于电路元件的操作，其中至少一个节点与电路的其它部分电隔离，并连接到存取元件的一个端子。

5.根据权利要求1到4中任意一个的集成电路芯片，包括在跨接元件和施加在上层上的电路之间的电连接(26)。

6.根据权利要求1到5中任意一个的集成电路芯片，其中芯片包括在下层下面并紧邻衬底的附加金属层(M1)。

7.根据权利要求1到6中任意一个的集成电路芯片，包括上和下金属层之间的绝缘层(I34)，其中绝缘层限定了跨接元件端部的通孔(40)。

8.一种集成电路芯片(10)的制造方法，包括步骤：

提供衬底(36)；

在衬底上生成电路(12、14)，包括：

施加多个包括与衬底相邻的下层(M3)和在下层上设置且与下层隔开的上层(M4)的金属层；

在衬底上形成多个电路元件(16)；以及

形成多个存取元件(20)，每个相关并电连接到选择的一个电路元件，每个存取元件包括下层内的第一和第二端子(32、34)，上层内细长的跨接元件(30)具有叠置并电连接到第一端子的第一端以及叠置并电连接到第二端子的第二端。

9.根据权利要求8的集成电路的制造方法，包括操作电路(10)、分析该操作、和通过在至少一个跨接元件(30)处切断使芯片重新工作。

10.根据权利要求8或9的集成电路的制造方法，包括操作电路、分析该操作、和通过将至少一个跨接元件连接到另一个电路元件(12)上使芯片重新工作。