[发明专利]分选互补金属氧化物半导体芯片的非接触、非侵入方法

权利要求书

1.一种测试集成电路的方法，由以下步骤组成：

在集成电路的衬底上制造多个电路元件；

至少为一个电路元件形成测试电路，该测试电路包括非接触发射元件；

激励具有该测试电路的该电路元件；以及

在该发射元件上探测该测试元件的输出。

2.权利要求1的方法，其中：

该集成电路是第一集成电路；

该多个电路元件是第一电路元件组；

该测试电路是第一测试电路；

该非接触发射元件是第一非接触发射元件；及

该集成电路的衬底是承载第二集成电路的园片，其中该方法由以下步骤组成

在第二集成电路的衬底上制造第二电路元件组，

至少为一个第二电路元件组形成第二测试电路，该第二测试电路包括第二非接触发射元件，

激励具有第二测试电路的该电路元件，

在第二发射元件上探测第二测试电路的输出。

3.权利要求1的方法，其中所述的制造步骤包括制作多晶硅层，还包括在该多晶硅层上淀积一层或多层金属，其中的淀积步骤在所述的激励和探测步骤之后进行。

4.权利要求1的方法，其中：

所述的制造步骤包括制作频率至少为10MHz的振荡器；以及

所述的探测步骤包括检测发射元件的输出频率。

5.在所述的集成电路边缘具有划片槽结构，所述的制作步骤把发射元件制作在边缘之内。

6.权利要求1的方法还包括在该集成电路上制作非接触功率耦合元件的步骤，其中所述的激励步骤包括在该功率耦合元件上产生电压的步骤。

7.权利要求6的方法，其中

该功率耦合元件包括制作在该衬底上的感应线圈；及

所述的产生步骤包括对所述的感应线圈施加变化的磁场的步骤。

8.权利要求1的方法，其中：

该非接触发射元件包括制作在该衬底上的感应线圈；及

所述的感应步骤包括把磁感应头放在非接触发射元件的感应线圈附近。

9.权利要求8的方法还包括在该集成电路上制作非接触功率耦合元件的步骤，其中的激励步骤包括在该功率耦合元件上产生电压的步骤。

10.权利要求9的方法，其中：

所述的制造步骤包括制作频率至少为10MHz的振荡器的步骤；以及

所述的探测步骤包括检测发射元件的输出频率的步骤。

11.一种集成电路，由以下组成：

衬底；

制作在所述衬底上的多个电路元件；及

制作在所述衬底上、用于至少测试一个所述电路元件的装置，所述测试装置包括非接触发射元件。

12.具有权利要求11所要求的多个集成电路的半导体园片。

13.权利要求11的集成电路，其中：

所述的电路元件包括多晶硅层和一层或多层金属；及

所述的测试装置允许在所述的多晶硅层上淀积所述的一层或多层金属前测试至少一个所述电路元件。

14.权利要求11的集成电路，其中：

所述的至少一个电路元件还包括频率至少为10MHz的振荡器；及

所述的测试电路在所述的发射元件上产生周期性输出信号。

15.权利要求11的集成电路还包括位于该电路元件边缘的划片槽结构，所述的非接触发射元件位于所述边界之内。

16.权利要求11的集成电路，其中所述的测试装置包括作在所述衬底上的具有激励至少一个所述电路元件的装置的非接触功率耦合元件。

17.权利要求16的集成电路，其中：

所述的激励装置包括作在所述衬底上的感应线圈。

18.权利要求11的集成电路，其中：

所述的非接触发射元件包括作在所述衬底上的感应线圈。

19.权利要求18的集成电路，其中所述的测试装置包括作在所述衬底上的具有至少激励一个所述电路元件的装置的非接触功率耦合元件。

20.权利要求19的集成电路，其中：

所述的至少一个电路元件还包括频率至少为10MHz的振荡器；以及

所述的测试装置在所述的发射元件上产生周期性输出信号。