[发明专利]半导体装置

权利要求书

1．一种半导体装置，其特征在于，包括：

在半导体衬底1的主表面上形成的第1导电型区3；

第2导电型的第1杂质区6c、第2杂质区6b和第3杂质区6a，在上述第1导电型区3的主表面中分别隔开一定距离而形成并具有第1杂质浓度；

第2导电型的第4杂质区8a，在主表面中在上述第3杂质区6a内形成，它比第3杂质区6a深，具有比上述第1杂质浓度高的第2杂质浓度；

第1栅电极5b，在被上述第1杂质区6c和上述第2杂质区6b夹住的上述第1导电型区的表面上使栅氧化膜4介入而形成；

第2栅电极5a，在被上述第2杂质区6b和上述第3杂质区6a夹住的上述第1导电型区的表面上使栅绝缘膜4介入而形成；以及

第2导电型的第5杂质区10，在主表面中在上述第1杂质区6c内形成，它比上述第2杂质区6b深，具有比上述第2杂质浓度高的第3杂质浓度。

2．如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

包含只在上述第5杂质区10的表面上形成的导电层19。

3．如权利要求2中所述的半导体装置，其特征在于：

上述导电层19是金属硅化物膜。

4．如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

包含第2导电型的第6杂质区8b，该第6杂质区8b在主表面中在上述第2杂质区6b内形成，具有比上述第1杂质浓度高且比上述第3杂质浓度低的第4杂质浓度，它比上述第2杂质区6b深，比上述第5杂质区10浅。

5．如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

具备下述的静态存储单元，该静态存储单元包括：

触发器，由其栅与漏交叉地连接的1对驱动晶体管D1、D2和分别连接在各驱动晶体管D1、D2的漏与电源之间的负载元件构成；以及

存取晶体管A1、A2，分别连接在各驱动晶体管D1、D2的漏与1对位线之间、而且其栅连接到字线上，

上述存取晶体管的漏区是上述第3杂质区6a和上述第4杂质区8a，

上述存取晶体管的源区包含上述第2杂质区6b，

上述存取晶体管的栅是上述第2栅电极5a，

上述驱动晶体管的漏区包含上述第2杂质区6b，

上述驱动晶体管的源区是上述第1杂质区6c和上述第5杂质区10，

上述驱动晶体管的栅是上述第1栅电极5b。

6．如权利要求2中所述的半导体装置，其特征在于：

具备下述的静态存储单元，该静态存储单元包括：

触发器，由其栅与漏交叉地连接的1对驱动晶体管D1、D2和分别连接在各驱动晶体管D1、D2的漏与电源之间的负载元件构成；以及

存取晶体管A1、A2，分别连接在各驱动晶体管D1、D2的漏与1对位线之间、而且其栅连接到字线上，

上述存取晶体管的漏区是上述第3杂质区6a和上述第4杂质区8a，

上述存取晶体管的源区包含上述第2杂质区6b，

上述存取晶体管的栅是上述第2栅电极5a，

上述驱动晶体管的漏区包含上述第2杂质区6b，

上述驱动晶体管的源区是上述第1杂质区6c和上述第5杂质区10，

上述驱动晶体管的栅是上述第1栅电极5b。

7．如权利要求3中所述的半导体装置，其特征在于：

具备下述的静态存储单元，该静态存储单元包括：

触发器，由其栅与漏交叉地连接的1对驱动晶体管D1、D2和分别连接在各驱动晶体管D1、D2的漏与电源之间的负载元件构成；以及

存取晶体管A1、A2，分别连接在各驱动晶体管D1、D2的漏与1对位线之间、而且其栅连接到字线上，

上述存取晶体管的漏区是上述第3杂质区6a和上述第4杂质区8a，

上述存取晶体管的源区包含上述第2杂质区6b，

上述存取晶体管的栅是上述第2栅电极5a，

上述驱动晶体管的漏区包含上述第2杂质区6b，

上述驱动晶体管的源区是上述第1杂质区6c和上述第5杂质区10，

上述驱动晶体管的栅是上述第1栅电极5b。

8．如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：

具备下述的静态存储单元，该静态存储单元包括：

触发器，由其栅与漏交叉地连接的1对驱动晶体管D1、D2和分别连接在各驱动晶体管D1、D2的漏与电源之间的负载元件构成；以及存取晶体管A1、A2，分别连接在各驱动晶体管D1、D2的漏与1对位线之间、而且其栅连接到字线上，

上述存取晶体管的漏区是上述第3杂质区6a和上述第4杂质区8a，

上述存取晶体管的源区包含上述第2杂质区6b，

上述存取晶体管的栅是上述第2栅电极5a，

上述驱动晶体管的漏区包含上述第2杂质区6b，

上述驱动晶体管的源区是上述第1杂质区6c和上述第5杂质区10，

上述驱动晶体管的栅是上述第1栅电极5b。