[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

步骤(A)，在半导体衬底上形成绝缘膜，然后在所述绝缘膜上形成多个下布线；

步骤(B)，利用等离子体增强化学汽相淀积法，形成具有倒悬形式的第一绝缘膜，覆盖所述下布线和所述绝缘膜表面；

步骤(C)，利用旋涂法，在所述第一绝缘膜上形成包含有机物的涂敷绝缘膜；

步骤(D)，烘焙所述包含有机物的涂敷绝缘膜；

步骤(E)，利用干腐蚀法，深腐蚀部分所述包含有机物的涂敷绝缘膜；

步骤(F)，利用等离子体增强化学汽相淀积法，在所述第一绝缘膜和所述包含有机物的涂敷绝缘膜上形成第二绝缘膜；和

步骤(G)，利用化学机械抛光法抛光所述第二绝缘膜，使其表面平面化。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述步骤(G)之后还包括：

步骤(H)，腐蚀所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的预定部分，形成达到所述下布线的孔；和

步骤(I)，将金属材料掩埋进所述孔中。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，这样进行所述步骤(E)中的所述深腐蚀，使在所述形成有通孔的下布线上形成的所述包含有机物的涂敷绝缘膜基本上被完全清除。

4.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，这样进行所述步骤(E)中的所述深腐蚀，使在形成有通孔的所述下布线上形成的所述包含有机物的涂敷绝缘膜基本上被完全清除。

5.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

步骤(A)，在半导体衬底上形成绝缘膜，并在所述绝缘膜上形成多个下布线；

步骤(B)，利用等离子体增强化学汽相淀积法，形成具有倒悬形式的第一绝缘膜，覆盖所述下布线和所述绝缘膜的表面；

步骤(C)，利用旋涂法，在所述第一绝缘膜上形成第一包含有机物的涂敷绝缘膜；

步骤(D)，通过旋转清除法，清除所述第一包含有机物的涂敷绝缘膜的一部分；

步骤(E)，烘焙所述第一包含有机物的涂敷绝缘膜；

步骤(F)，利用旋涂法，在所述第一绝缘膜和所述第一包含有机物的涂敷绝缘膜上形成第二包含有机物的涂敷绝缘膜；

步骤(G)，烘焙所述第二包含有机物的涂敷绝缘膜；

步骤(H)，利用干腐蚀法，深腐蚀所述第一包含有机物的涂敷绝缘膜和所述第二包含有机物的涂敷绝缘膜的一部分；

步骤(I)，利用等离子体增强化学汽相淀积法，在所述第一绝缘膜、所述第一包含有机物的涂敷绝缘膜和所述第二包含有机物的涂敷绝缘膜上形成第二绝缘膜；和

步骤(J)，利用化学机械抛光法抛光所述第二绝缘膜，使其表面平面化。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述步骤(J)之后还包括：

步骤(K)，腐蚀所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的预定部分，形成达到所述下布线的孔；和

步骤(L)，将金属材料掩埋进所述孔中。

7.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，这样进行所述步骤(H)中的所述深腐蚀，使形成有通孔的所述下布线上形成的所述包含有机物的涂敷绝缘膜基本上被完全清除。    

8.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，这样进行所述步骤(H)中的所述深腐蚀，使形成有通孔的所述下布线上形成的所述包含有机物的涂敷绝缘膜基本上被完全清除。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述步骤(B)和所述步骤(C)之间还包括通过溅射法腐蚀所述第一绝缘膜的步骤。

10.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述步骤(B)和所述步骤(C)之间还包括通过溅射法腐蚀所述第一绝缘膜的步骤。

11.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述步骤(B)和所述步骤(C)之间还包括通过溅射法腐蚀所述第一绝缘膜的步骤。

12.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述步骤(B)和所述步骤(C)之间还包括通过溅射法腐蚀所述第一绝缘膜的步骤。