[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体存储器的制造方法，该半导体存储器具有配置多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元有在基片上按柱状形成的下部电极，和在下部电极上形成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于该方法包括：

在所述存储器单元阵列的所述下部电极形成时，在同一工艺中，形成由与所述下部电极相同的构件构成的虚设图形，

在所述存储器单元阵列的所述下部电极和所述虚设图形上形成所述电容绝缘膜后，在用所述存储器单元阵列的所述电容绝缘膜覆盖的所述下部电极和所述虚设图形之间的区域中，通过埋设导电构件形成所述上部电极。

2．一种半导体存储器的制造方法，该半导体存储器具有配置多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元有在基片上按柱状形成的下部电极，和在下部电极上形成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于该方法包括：

在形成所述存储器单元的所述下部电极时，在同一工艺中，形成由与所述下部电极相同的构件构成的虚设图形，

(b)形成电容绝缘膜，以覆盖所述存储器单元阵列的所述下部电极和所述虚设图形；

(c)在用所述存储器单元阵列的所述电容绝缘膜覆盖的所述下部电极和所述虚设图形之间的区域中，通过埋设导电构件形成所述上部电极，以便不完全覆盖所述下部电极和所述虚设图形的上部。

3．一种半导体存储器的制造方法，该半导体存储器具有配置多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元有在基片上形成的下部电极，和在下部电极上形成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于该方法包括：

(a)在形成所述存储器单元的所述下部电极时，在同一工艺中，在所述存储器单元阵列周边部分形成由与所述下部电极相同的构件构成的虚设图形，此时，在所述下部电极和所述虚设图形上形成掩模绝缘膜，

(b)形成电容绝缘膜，以覆盖所述下部电极和所述虚设图形阵列及所述掩模绝缘膜，

在所述存储器单元阵列的所述下部电极和所述虚设图形之间的区域中，通过埋设导电构件形成所述上部电极，以便不完全覆盖所述下部电极和所述虚设图形的上部。

4．如权利要求1至3的其中任何一项所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于，将所述虚设图形配置在由所述下部电极构成的存储器单元阵列的周边部分区域中。

5．如权利要求1至3的其中任何一项所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于，配置所述虚设图形，以包围由所述下部电极构成的存储器单元阵列的周围。

6．如权利要求1至3的其中任何一项所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于，按与所述下部电极至少高度相同的形状构成所述虚设图形。

7．一种半导体存储器，该半导体存储器具有配置多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元有在基片上设置的柱状下部电极，和覆盖所述下部电极的电容绝缘膜上的上部电极，其特征在于，

该器件包括：由与所述存储器单元的所述下部电极大致相同的高度、且与所述下部电极相同的构件构成虚设图形；形成电容绝缘膜以覆盖所述下部电极和所述虚设图形；在用所述电容绝缘膜覆盖的所述下部电极之间的区域埋设构成所述上部电极；和

在所述虚设图形上还配有与所述存储器单元相同的电容绝缘膜和上部电极。

8．一种半导体存储器，该半导体存储器具有配置多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元有在基片上设置的柱状下部电极，在覆盖所述下部电极的电容绝缘膜上的上部电极，其特征在于，

该器件包括：由与所述存储器单元的所述下部电极大致相同的高度、且与所述下部电极相同的构件构成虚设图形；形成电容绝缘膜以覆盖所述下部电极和所述虚设图形；埋设在用所述电容绝缘膜覆盖的所述下部电极之间区域的所述上部电极；和

在所述虚设图形上还配有与所述存储器单元相同的电容绝缘膜和上部电极，并且所述虚设图形的所述上部电极通过层间绝缘膜与上层布线连接。