[发明专利]冷发射电极及其制造方法和采用这种电极的显示装置

权利要求书

1、一种冷发射电极，包括一电极基片和一形成在所述电极基片上的氢化物，此氢化物由选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一个元素制成的。

2、按照权利要求1的冷发射电极，其特征是此氢化物以RH_2+x表述(其中R为选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一个元素，H为氢，-1＜x＜1)。

3、按照权利要求1的冷发射电极，其特征是还含有选自Se、Y、La、Ce、Gd、和Lu、Th、U和Np组成的族的至少一元素的氧化物。

4、一种制造冷发射电极的方法，包括在一含有氢气体的气体环境中氢化一金属膜，此金属膜含有选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族的至少一元素，由此形成一冷发射区。

5、按照权利要求4的制造冷发射电极的方法，其特征是所述金属膜被在包含稀有气本和不低于10ppm及不大于0.5vol％的氢气的惰性气体环境中氢化。

6、一种制造冷发射电极的方法，其中所述金属膜在氢化步骤中在含有氢气的气体环境中以不小于300℃和不大于650℃的温度加热。

7、一种冷发射放电管，包括含有选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素的氢化物的冷发射电极。

8、按照权利要求7的冷发射放电管，其特征是此氢化物以RH_2+x表述(其中R为选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素，H为氢，-1＜x＜1)。

9、按照权利要求7的冷发射族电管，其特征是所述冷发射电极包含选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素的氧化物。

10、一种显示装置，包括：

用于发射光的冷发射管，具有：

(A)包括具有内表面并在管的内表面上涂有荧光层的管体荧光管，用于发射位于一波长范围内的光，所述管体使得由所述荧光层发射的光能通过；

(B)一对被设置在所述荧光管中的电子发射电极，互相对向，各自包括一含有选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素的氢化物的电子发射膜；

(C)用于填充所述荧光管的稀有气体和汞；和

(D)具有一对基片和所述一对基片之间的液晶的液晶显示单元。

11、按照权利要求10的装置，其特征是此氢化物以RM_2+x表述(其中R为选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素，H为氢，和-1＜x＜1)。

12、按照权利要求10的装置，其特征是所述电子发射膜含有选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素的氧化物。

13、按照权利要求10的装置，其特征是还包括一光导引元件用于将所述光从所述冷发射管导引至所述液晶显示单元。

14、一种显示装置，包括：

第一基片；

与所述第一基片相隔开的第二基片；

设置在与第二基片对向的所述第一基片表面上的第一电极，它具有一包含有选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素的氢化物的电子发射膜；

设置在与所述第一基片对向的所述第二基片的表面上的第二电极，用于在当一预定电压被加到所述第一和第二电极之间时生成等离子体；和

填充由所述第一和第二基片所定的空间的稀有气体。

15、按照权利要求14的装置，其特征是此氢化物由RH_2+x表述(其中R为选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素，H为氢，和-1＜x＜1)。

16、按照权利要求14的装置，其特征是所述电子发射膜包含选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一元素的氧化物。

17、按照权利要求14的装置，其特征是所述第一和第二电极由直流电流驱动生成等离子体。