[发明专利]冷发射电极及其制造方法和采用这种电极的显示装置无效

专利信息
申请号: 99103112.1 申请日: 1999-03-24
公开(公告)号: CN1242592A 公开(公告)日: 2000-01-26
发明(设计)人: 中村修;铃木滋生;森裕一;平间浩则 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社;斯坦雷电气株式会社
主分类号: H01J1/30 分类号: H01J1/30;H01J9/02;H01J17/06;H01J17/49
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蹇炜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发射 电极 及其 制造 方法 采用 这种 显示装置
【说明书】:

发明是关于冷发射电极,特别是适用于利用冷发射现象的放电装置的冷发射电极,此冷发射电极的制造方法,和包括这种电极的显示装置。

热电子发射现象、光电子发射现象、冷发射现象现象等通称为一物体中存在的电子被发射进空间的电子发射现象。实践中,电子发射电极材料被用来构成用于利用放电的装置、例如一放电管的电极。例如,公知的有利用热电子发射现象的热电子发射放电管,其中,通过将电流加到例如一线圈式灯丝使其发热来发射电子。

与上例不同,采用不同型式的利用应用冷发射现象的电极来放电的装置也是公知的。可得到的有采用利用强电场发射电子的场致发射显示装置,采用主要基于离子碰撞的二次电子发射的冷发射放电管和等离子体显示屏,等等。

二次电子发射作为一种唯有冷发射放电器才有的电子发射机制为势能型发射或动能型发射。在势能型发射中,依靠由一种所谓的俄歇效应(Anger effect)得到的能量发射电子,在此,当一正离子靠近一冷阴极时,电子的能级降低到此正离子的基态因为电极中的电子的能级高于此正离子的能级,而由这种能级差所生成的能量被加到另一电子。动能型发射是在接收到一能量后由冷阴极发射的,此能量是在一正离子与冷阴极发生碰撞时产生的。为冷发射管特有的辉光放电即由上述电子发射机制产生。

基于这种辉光放电发射可见光的冷发射放电萤光管或等离子显示屏包括一具有多个电极和涂以辉光材料的内壁的容器和被密闭在容器内的惰性气体和汞的混合物。由入射在冷发射放电萤光管上的光按照光电子发射现象发射的电子首先被加到电极的电场移动并与密封在此容器内的气体等相碰撞,由此将气体游离来产生离子。这些离子与电子碰撞生成二次电子。由冷发射电极发射的电子与气化汞原子碰撞以开始辉光放电,由此生成紫外射线。萤光材料由紫外射线激励来发射可见光。

作为冷发射电极的材料,采用具有相对低功函数(low workfunction)的金属元素例如镍(Ni)或钼(Mo)。

具有由这样的材料造成的冷发射电极的冷发射放电萤光管随其管直径的减少而有较高的亮度(cd/m2)。可得到具有冷发射放电萤光管的低断面装置和适用于液晶显示装置的背光。

具有一冷发射电极的冷发射放电萤具有高放电管放电电压因此具有高放电管功率消耗。特别是,当放电管被用作为电池驱动的便携式显示中的背光时很难长时间进行显示操作。

电子发射材料通过放电由上述金属电极溅射,然后溅射的电子发射材料沾污管壁而缩短发射服务寿命。

本发明的目的是提供具有低放电电压和即使在长期间应用时的稳定的放电电压的冷发射电极,制造此冷发射电极的方法,和冷发射放电萤光管。

本发明的冷发射电极为由Sc(钪)、Y(钇)、La(镧)、Ce(铈)、Gd(钆)、Lu(镥)、Th(钍)、U(铀)、和Np(镎)组成的族中选择的至少一元素的氢化物制成。

按照本发明,冷电子可由一氢化物在低电压下发射。即使发生放电,此氢化物也不太可能溅射,由此而能进行长时间的稳定运行。

此氢化物可以是RH2+x(其中R为由Sc、Y、La、Ce、Gd、Th、U、和Np构成的族选择的至少一个元素,H是氢,-1<x<1)。上述氢化物具有只有基本上以RH2所代表的材料才具有的结晶结构。包含由理想配比偏移的RH2+x的RH2是由R和氢原子所表示的元素的过度存在和发射形成。此氢化物满足上述作为冷发射电极所需条件,即低功函数,稀少溅射和与汞蒸气起反应和高导电性的材料。以上的稀土金属元素或放射性元素的氢化物中,此稀土金属或放射性元素包含一种或多种元素。考虑到成本、处理,电子发射特征等钇是最完全适合的。

应注意到除氢化物外,冷发射电极还可能包含至少一个由Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U、及Np构成的族中选择的元素的氧化物。

当在作氢化的电极材料的表面上形成氧化物时,上述元素被分类成为稀土金属或放射性元素。属于稀土元素的氧化物在当其被用作为冷发射电极的材料时可降低放电电压。

按照本发明制造冷发射电极的方法包括以在含氢气体的气体环境中氢化处理金属膜来形成冷发射电极的一冷发射区,此金属膜含有由Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U、和Np所组成的族选择的至少一种元素。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡西欧计算机株式会社;斯坦雷电气株式会社,未经卡西欧计算机株式会社;斯坦雷电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/99103112.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top