[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有这样的隔离结构，填充有氧化硅膜的沟槽隔离形成于硅衬底上的n阱层与p阱层，其特征在于，构成p阱层的硼沿衬底深度方向的浓度分布峰值位于沟槽的侧壁部分。

2.一种半导体器件，具有这样的隔离结构，填充有氧化硅膜的沟槽隔离形成于硅衬底上的n阱层与p阱层，其特征在于，构成n阱层的n型杂质沿衬底深度方向的浓度分布峰值位于比构成p阱层的硼沿衬底深度方向的浓度分布峰值浅的位置处。

3.一种半导体器件，具有这样的隔离结构，填充有氧化硅膜的沟槽隔离形成于硅衬底上的n阱层与p阱层，其特征在于，n型杂质的浓度分布和硼的浓度分布的交点位于距硼的浓度分布比距沟槽中心更近的位置。

4.一种半导体器件，具有这样的隔离结构，填充有氧化硅膜的沟槽隔离形成于硅衬底上的n阱层与p阱层，其特征在于，构成n阱层的n型杂质浓度高于构成p阱层的硼的浓度分布。

5.一种半导体器件，具有这样的隔离结构，填充有氧化硅膜的沟槽隔离形成于硅衬底上的n阱层与p阱层，其特征在于，按这样的楔形形成沟槽，即为在接近硅衬底表面的一侧较宽和接近底部的一侧较窄的楔形，和

至少构成p阱层的硼沿衬底深度方向的浓度分布峰值位于楔形沟槽的侧壁。

6.一种半导体器件，具有这样的隔离结构，填充有氧化硅膜的沟槽隔离形成于硅衬底上的n阱层与p阱层，其特征在于，As用作构成n阱层的n型杂质。