[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1．一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括如下步骤：在其中形成有一个杂质扩散层的硅衬底上形成一层钴膜，及利用热处理在与所述钴膜相接触的一个硅层内形成一层硅化钴；

其中所述热处理包括如下步骤：

通过在低于400℃的一个温度下进行第一热处理形成Co₂Si膜；及

通过进行第二热处理形成CoSi₂膜。

2．如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于将未发生反应的所述钴膜清除掉的步骤是在已形成Co₂Si膜的状态下执行的。

3．一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括如下步骤：在其中形成有一个杂质扩散层的硅衬底上形成一层钴膜，及利用热处理在与所述钴膜相接触的一个硅层内形成一层硅化钴；

其中所述热处理包括如下步骤：

通过在低于400℃的一个温度下进行第一热处理形成Co₂Si膜；

通过进行第二热处理形成CoSi膜；及

通过进行第三热处理形成CoSi₂膜。

4．如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于将未发生反应的所述钴膜清除掉的步骤是在已经形成了CoSi膜的状态下进行的。

5．如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于另外包括用防氧气阻挡膜覆盖所述钴膜表面的步骤。

6．如权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于所述防氧气阻挡膜是氮化钛膜。

7．如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于另外包括用防氧气阻挡膜覆盖所述钴膜表面的步骤。

8．如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其特征在于所述防氧气阻挡膜是一层氮化钛膜。

9．如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于在低于400℃的温度下所进行的用于形成所述Co₂Si的第一热处理是在电炉中进行的。

10．如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于在低于400℃的温度下所进行的用于形成所述Co₂Si膜的第一热处理是在电炉中进行的。

11．用于制造半导体器件的方法，其特征在于包括如下步骤：在其中形成有杂质扩散层的硅衬底上形成一层钴膜，及利用热处理在与所述钴膜相接触的硅层内形成一层硅化钴；

其中所述热处理包括如下步骤：

通过在低于400℃的一个温度下进行第一热处理持续2分钟或更长的时间而形成预定厚度的Co₂Si；及

通过进行第二热处理形成CoSi₂膜。

12．如权利要求11所述的半导体器件制造方法，其特征在于将未发生反应的所述钴膜清除掉的步骤是在已经形成了Co₂Si膜的状态下进行的。

13．用于制造半导体器件的方法，其特征在于包括如下步骤：在其中形成有杂质扩散层的硅衬底上形成一层钴膜，及利用热处理在与所述钴膜相接触的硅层内形成一层硅化钴；

其中所述热处理包括如下步骤：

通过在低于400℃的一个温度下进行第一热处理持续2分钟或更长的时间而形成预定厚度的Co₂Si膜；及

通过进行第二热处理形成CoSi膜；及

通过进行第三热处理形成CoSi₂膜。

14．如权利要求13所述的半导体器件制造方法，其特征在于将未发生反应的所述钴膜清除掉的步骤是在已经形成了CoSi膜的状态下进行的。

15．如权利要求11所述的半导体器件制造方法，其特征在于另外包括用防氧气阻挡膜覆盖所述钴膜表面的步骤。

16．如权利要求15所述的半导体器件制造方法，其特征在于所述防氧气阻挡膜是氮化钛膜。

17．如权利要求13所述的半导体器件制造方法，其特征在于另外包括用防氧气阻挡膜覆盖所述钴膜表面的步骤。