[发明专利]磁阻头无效
申请号: | 99104966.7 | 申请日: | 1999-04-08 |
公开(公告)号: | CN1234578A | 公开(公告)日: | 1999-11-10 |
发明(设计)人: | 高田昭夫 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁阻 | ||
1.一种采用磁阻元件作为磁探测器并在衬底上制作有磁头元件的磁阻头,它包含:
并联连接于磁阻元件的电容器;
衬底由导电材料制成以便用作构成电容器的一个电极。
2.权利要求1所述的磁阻头还包含:
通过绝缘层制作在衬底上的导电层;
通过绝缘层制作在导电层上的第一磁屏蔽;
磁阻元件通过绝缘层制作在第一磁屏蔽上;以及
通过绝缘层制作在磁阻元件上的第二磁屏蔽;
绝缘层电连接于磁阻元件的一端;以及
电容器由衬底和导电层组成。
3.权利要求2所述的磁阻头,其中第一磁屏蔽电连接于导电层。
4.权利要求1所述的磁阻头还包含:
通过绝缘层制作在衬底上的第一导电层;
通过绝缘层制作在第一导电层上的第二导电层;
通过绝缘层制作在第二导电层上的第一磁屏蔽;
磁阻元件通过绝缘层制作在第一磁屏蔽上;以及
通过绝缘层制作在磁阻元件上的第二磁屏蔽;
第一导电层电连接于磁阻元件的一端;以及
电容器由衬底和第一导电层组成。
5.权利要求4所述的磁阻头,其中第一磁屏蔽电连接于第二导电层。
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