[发明专利]磁阻头

说明书

本发明涉及到磁阻头，它包含从磁记录介质探测磁场的磁阻元件。

已经证明，使用磁阻元件(以下称为“MR元件”)来探测磁记录介质磁场的磁阻头(以下称为“MR头”)存在着因静电放电(ESD)或电过载(EOS)造成MR元件击穿，从而损坏MR头的问题。

更确切地说，ESD或EOS会引起流向MR元件的过电流，过电流产生的热和磁场则会损伤MR元件。

据信，通过诸如晶片制作、加工、组装等一系列生产MR头的工艺，外部电荷通过工艺流入被生产的MR头并引起过电流流向MR头的MR元件，此过电流引起直接或间接损伤MR元件的热和磁场。

注意在晶片制作工艺中，一起组成MR头的磁头元件被制作在晶片衬底上。加工工艺是将其上已经制作有MR头元件的晶片衬底切割成单个的MR头小片，并用预定的方式对MR头小片进行机械加工。在组装工序中，这样加工过的MR头被安装在磁头底座上，而MR头的端子被连接到预定的引线，从而组装成包含MR头的磁头单元。

除上述考虑之外，MR头组装在磁头单元中之后在某些情况下MR元件也会因ESD/EOS而被击穿。更具体地说，例如当MR头被组装在硬盘驱动器中时，电荷可能从磁盘流入MR头，引起过电流流向MR头的MR元件。这种过电流也会损害MR元件。

为了防止MR元件由于ESD/EOS而被击穿，已经提出过用DLC膜(类金刚石碳膜)或用钨之类的金属膜来涂敷MR头的ABS(空气承载表面)。

然而，用DLC或金属膜涂敷ABS表面并不能完全防止MR元件由于ESD/EOS而被击穿。

在MR头被组合到磁头单元中之后，MR头的ABS表面的涂层能够有效地防止MR元件被击穿。但由于早期不能防止MR头被击穿，所以这种涂层在MR头制造工艺的最后阶段才制作。

而且，由于金属膜会使MR元件短路，故用金属膜的ABS表面涂层会降低读出的输出。

因此，本发明的目的是借助于提供包含从磁记录介质探测磁场的MR元件的MR头而克服现有技术的上述缺点，不用MR头的ABS表面涂层而防止了MR元件由于ESD/EOS而被破坏。

借助于提供采用MR元件作为磁探测器并具有制作在衬底上的磁头元件的MR头能够达到上述目的。所述MR头包含并联连接于MR元件的电容器以及由导电材料制成的用作形成电容器一个电极的衬底。

在此MR头中，由于电容器并联连接于MR元件，若外部电荷对MR元件施加高电压，则电流主要流向电容器侧。因此，即使电荷从外部流入，也不会有过电流流向MR元件。亦即，并联连接于MR头中的MR元件的电容器有效地防止了过电流流向MR元件。

而且，在MR头中，其上制作磁头元件的衬底被用作电容器的一个电极以便防止过电流流向MR头。利用衬底作为电容器的电极，有可能相当自由地设定电容器的电容。借助于将电容器的电容设定成足够大，由于在MR元件被施加很高的电压时产生的大部分电荷将流向电容器侧，故几乎能够完全防止MR元件由于ESD/EOS而被击穿。

利用衬底作为电容器的电极来防止MR元件由于ESD/EOS而受到损伤，有可能在比MR头制造工序中制作磁头更早的阶段中制作电容器。这样，借助于在比制作磁头元件更早的阶段中制作电容器以防止MR元件由于ESD/EOS而被损伤，即使在MR头正被制造的过程中，也有可能防止MR元件由于ESD/EOS而被击穿。

从参照附图对本发明最佳实施例的下列详细描述中，本发明的这些目的和其它目的、特点以及优点将变得更为明显。

图1是包含根据本发明的MR头的磁头的一个实施例的局部剖面透视图；

图2是图1的磁头沿通过第一导体的平面的剖面图；

图3是包括在图1MR头中的MR头的等效电路；

图4图示了当外部电荷流入MR头时，流向由衬底和导电层组成的电容器的电流I1以及流向MR元件侧的电流I2随时间的变化；

图5是包含根据本发明的MR头的磁头的另一个实施例的局部剖面透视图；

图6是包含根据本发明的MR头的磁头的再一个实施例的局部剖面透视图；

图7是图6的磁头沿通过第一导体的平面的剖面图；

图8是图6的磁头沿通过第二导体的平面的剖面图；

图9是包含根据本发明的MR头的磁头的另一个实施例的沿通过第二导体的平面的剖面图；

图10是包含根据本发明的MR元件的MR头的又一个实施例的剖面图；

图11是图10的磁头沿通过第二导体的平面的剖面图。

第一实施例：