[发明专利]改善含氧硫化钆X射线荧光粉的荧光屏亮度的方法

权利要求书

1．一种用于改进散聚的含氧硫化钆X射线荧光粉的荧光屏亮度的方法，该方法包括：

在约400℃至约800℃的温度下对散聚的荧光粉进行约1小时至约4小时的退火；和

在pH值约为1-2的稀酸中于约50℃至约80℃的温度下进行0.5小时至2小时的酸洗。

2．根据权利要求1所述的方法，其中在酸洗之后，对散聚的荧光粉进行第二次退火，第二次退火包括将荧光粉加热到约400℃至约800℃的温度并退火约1小时至约8小时。

3．根据权利要求1所述的方法，其中退火温度约为650℃-约750℃。

4．根据权利要求3所述的方法，其中退火时间是2小时。

5．根据权利要求2所述的方法，其中第二次退火温度约为450℃-约550℃。

6．根据权利要求1所述的方法，其中稀酸温度为约65℃。

7．一种用于改进散聚的含氧硫化钆X射线荧光粉的荧光屏亮度的方法，该方法包括：

以足以增加亮度的温度和时间对散聚的荧光粉进行退火；和

在稀酸溶液中酸洗萤光粉以去除颗粒尺寸低于约1μm的荧光粉颗粒。

8．根据权利要求7所述的方法，其中在酸洗之后，对荧光粉进行第二次退火，以进一步增加亮度。

9．根据权利要求7所述的方法，其中在退火之后，荧光粉的XOF亮度增加10-40％。

10．根据权利要求7所述的方法，其中通过酸洗去除约5wt％-约25wt％的荧光粉。

11．根据权利要求7所述的方法，其中用酸洗工艺后的荧光粉制备的X射线荧光屏进行曝光，其光学密度比用类似制备方法制备的荧光粉所进行的第二次曝光大至少约0.01，其中该类似的制备荧光粉的方法包括退火前的酸洗。

12．根据权利要求8所述的方法，其中用第二次退火后的荧光粉制备的X射线荧光屏进行曝光，其光学密度比用类似制备方法制备的荧光粉所进行的第二次曝光大至少约0.03，其中该类似的制备荧光粉的方法包括退火前的酸洗。