[发明专利]半导体器件的升压电路

权利要求书

1．一种升压电路，具有多个串联连接的升压单元，每个升压单元具有一个转移晶体管和一个电容器，将转移晶体管的输入端子、漏极和栅极连接起来，转移晶体管的源极为输出端子，电容器的第一端子连接至转移晶体管的源极，一个时钟信号供给电容器的第二端子，其特征在于：

转移晶体管是由一个三重阱构成的，该三重阱具有第一阱和第二阱，第一阱形成在一个半导体衬底上，第二阱形成在第一阱上，并且

该半导体衬底连接至一个参考电压，第一阱中的扩散层、第二阱中的第一扩散层、第二阱中的第二扩散层、电容器的第一端子以及转移晶体管的栅极连接起来，第一阱的导电类型与第一阱中的扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型与第二阱中的第一扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型不同于第二阱中的第二扩散层的导电类型。

2．根据权利要求1的升压电路，其特征在于：具有180°的相位差的时钟信号被交替地供给升压单元。

3．根据权利要求1的升压电路，其特征在于：半导体衬底是由P型半导体构成的，第一阱是由N型半导体构成的，以及第二阱是由P型半导体构成的。

4．根据权利要求2的升压电路，其中，半导体衬底是由P型半导体构成的，第一阱是由N型半导体构成的，第二阱是由P型半导体构成的。

5．一种升压电路，具有多个串联连接的升压单元，每个升压单元具有一个转移晶体管、一个辅助转移晶体管、第一电容器和第二电容器，转移晶体管的输入端子与漏极连接，转移晶体管的源极为输出端子，辅助转移晶体管的输入端子与漏极连接，辅助转移晶体管的源极连接至转移晶体管的栅极和第二电容器的第一端子，辅助转移晶体管的栅极连接至转移晶体管的源极，第一电容器的第一端子连接至转移晶体管的源极，第一时钟信号供给第一电容器的第二端子，第四时钟信号供给第二电容器的第二端子，

其特征在于：转移晶体管是由一个三重阱构成的，该三重阱具有第一阱和第二阱，第一阱形成在一个半导体衬底上，第二阱形成在第一阱上，并且

该半导体衬底连接至一个参考电压，第一阱中的扩散层、第二阱中的第一扩散层、第二阱中的第二扩散层以及电容器的第一端子连接起来，第一阱的导电类型与第一阱中的扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型与第二阱中的第一扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型不同于第二阱中的第二扩散层的导电类型。

6．根据权利要求5的升压电路，其特征在于：该升压单元是由四相时钟信号驱动的。

7．根据权利要求5的升压电路，其特征在于：具有180°的相位差的时钟信号被交替地供给该升压单元。

8．根据权利要求5的升压电路，其特征在于：该半导体衬底是由P型半导体构成的，第一阱是由N型半导体构成的，以及第二阱是由P型半导体构成的。

9．一种升压电路，具有至少两个充电泵，每个充电泵具有多个串联连接的升压单元，每个升压单元具有一个转移晶体管和一个电容器，将转移晶体管的输入端子、漏极和栅极连接起来，转移晶体管的源极为输出端子，电容器的第一端子连接至转移晶体管的源极，一个时钟信号供给电容器的第二端子，

其特征在于：该转移晶体管是由一个三重阱构成的，该三重阱具有第一阱和第二阱，第一阱形成在一个半导体衬底上，第二阱形成在第一阱上，

该半导体衬底连接至一个参考电压，将第一阱中的扩散层、第二阱中的第一扩散层、第二阱中的第二扩散层、电容器的第一端子和转移晶体管的栅极连接起来，第一阱的导电类型与第一阱中的扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型与第二阱中的第一扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型不同于第二阱中的第二扩散层的导电类型，并且

一个晶体管设置在第一充电泵和第二充电泵之间，该晶体管的漏极连接至第一充电泵的输出端子，该晶体管的源极连接至第二充电泵的输入端子，该晶体管的栅极连接至第一充电泵，第一充电泵的输出端子连接至第二充电泵的输出端子。

10．根据权利要求9的升压电路，其特征在于：升压单元是由四相时钟信号驱动的。

11．根据权利要求9的升压电路，其中，具有180°的相位差的时钟信号被交替地供给该升压单元。

12．根据权利要求9的升压电路，其特征在于：该半导体衬底是由P型半导体构成的，第一阱是由N型半导体构成的，以及第二阱是由P型半导体构成的。