[发明专利]制造半导体存储器件的电容器的方法

权利要求书

1.一种制造半导体存储器件的电容器的方法，包括以下步骤：

在形成晶体管的半导体衬底上形成第一绝缘层；

利用接触孔形成掩模腐蚀所述第一绝缘层以形成接触孔；

用导电材料填充所述接触孔，从而形成电连接所述半导体衬底的栓塞；

在包括所述栓塞的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

利用存储电极形成掩模腐蚀所述第二绝缘层，直到暴露所述栓塞和部分所述第一绝缘层，从而形成存储电极开口；

在所述存储电极开口的两侧壁上形成导电间隔层，所述导电间隔层与所述栓塞电连接；及

在所述导电间隔层和所述栓塞的表面上形成HSG(半球晶粒)，从而形成由所述导电间隔层和HSG层构成的存储电极。

2.根据权利要求1的方法，其中所述方法还包括在形成所述第一绝缘层后，在所述第一绝缘层上形成腐蚀停止层的步骤。

3.根据权利要求2的方法，其中所述腐蚀停止层由氮化硅构成，其厚约100埃。

4.根据权利要求1的方法，其中所述第一和第二绝缘层分别由氧化物构成。

5.根据权利要求1的方法，其中所述导电间隔层由多晶硅构成。

6.根据权利要求1的方法，其中所述第二绝缘层厚约10000埃，所述导电间隔层厚约2000埃。