[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

具有多个沿第一方向排列的单元区域的存储器单元阵列；

与每个单元区域对应的读出放大器电路；和

沿第一方向延伸覆盖单元区域的传输总线，传输总线包括与每个单元区域对应的开关电路，该开关电路将传输总线划分为多个传输总线部分。

2.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

所述单元区域中的单元被排列成沿第一方向延伸的列。

3.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于还包括：

包含第一端和第二端的传输总线；和

通道寄存器，其被耦连至传输总线第一端和第二端，该通道寄存器能够与数据总线进行数据传输。

4.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

每个读出放大器电路包括一组读出放大器，每组读出放大器对应一个传输总线部分。

5.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

每个开关电路响应于对与之对应的单元区域内的存储器单元的选择而关断。

6.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

所述读出放大器电路包括位于相邻单元区域之间的共用读出放大器电路。

7.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

所述半导体存储器为虚拟通道存储器。

8.权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

所述半导体存储器包括多个存储体，每个存储体包括至少一个存储器单元部分；和

给定存储体中的开关电路根据对该给定存储体的数据传输指令而被导通和关断。

9.权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于：

所述数据传输指令包括

预读指令，可以将存储体中的数据读出到传输总线上，和

恢复指令，可以将传输总线上的数据写入存储体中。

10.一种半导体存储器，包括：

第一存储部分，包括至少一个具有多个存储单元的区域；

第二存储部分，包括至少第一组存储器件和第二组存储器件；和

将第一存储部分与第二存储部分耦连的数据传输总线，该数据传输总线包括至少一个开关电路，可将数据传输总线划分为第一总线部分和第二总线部分，第一总线部分将第一组存储器件耦连至第一存储部分，而第二总线部分将第二组存储器件耦连至第一存储部分。

11.权利要求10所述的半导体存储器，其特征在于：

所述第一存储部分包括

与至少一个区域耦连的第一放大器电路，和

与至少一个区域耦连的第二放大器电路；并且

所述第一总线部分可将第一组存储器件耦连至第一放大器电路，而第二总线部分可将第二组存储器件耦连至第二放大器电路。

12.权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于：

所述数据传输总线包括多条数据传输总线线路；和

第一和第二读出放大器电路，包括根据选择信号被选择与数据传输总线线路耦连的多个读出放大器。

13.权利要求12所述的半导体存储器，其特征在于：

每个读出放大器与至少一条数字线耦连，并包括一个可接收选择信号并将至少一条数字线与传输总线线路耦连的传输区。

14.权利要求12所述的半导体存储器，其特征在于：

每个读出放大器与一个互补数字线对耦连并包括

第一绝缘栅场效应晶体管(IGFET)，它包括一条耦连在一条数字线与读出放大器使电势之间的源-漏通路；和

第二IGFET，它包括一条耦连在另一条数字线与读出放大器使能电势之间的源-漏通路。

15.权利要求10所述的半导体存储器，其特征在于：

所述数据传输总线包括

多个传输总线线路对部分；和

包含多个IGFET对的开关电路，每个IGFET对包括源-漏通路，将一传输总线线路对部分与另一传输总线线路对部分耦连在一起。