[发明专利]动态随机存取存储器的电容器条

权利要求书

1．一种制作沟槽电容器的方法，它包含下列步骤：

在衬底中制作沟槽；

用第一导电材料局部地填充所述沟槽；

用颈圈材料在所述第一导电材料上镶衬所述沟槽的一部分；

将所述颈圈材料腐蚀到所述沟槽顶部以下的条深度；以及

用第二导电材料填充所述沟槽，

其中位于所述条深度与所述沟槽的所述顶部之间的所述第二导电材料的一部分包含掩埋条。

2．权利要求1的方法，其中所述掩埋条将所述第一导电材料和所述第二导电材料电连接到半导体晶体管的扩散区。

3．权利要求1的方法，其中制作所述沟槽的所述步骤，包含腐蚀所述衬底以为深沟槽电容器提供空间的步骤。

4．权利要求1的方法，其中腐蚀所述颈圈材料的所述步骤，包含所述颈圈材料的各向异性干法反应离子刻蚀步骤。

5．权利要求1的方法，其中所述衬底包含硅衬底，所述颈圈材料包含颈圈氧化物，所述第一导电材料包含多晶硅，所述第二导电材料包含多晶硅。

6．一种制作沟槽电容器和半导体晶体管结构的方法，它包含下列步骤：

在衬底中制作沟槽；

用第一导电材料局部地填充所述沟槽；

用颈圈材料在所述第一导电材料上镶衬所述沟槽的一部分；

将所述颈圈材料腐蚀到所述沟槽顶部以下的条深度；

用第二导电材料填充所述沟槽，其中位于所述条深度与所述沟槽的所述顶部之间的所述第二导电材料的一部分包含掩埋条；

制作具有扩散区的半导体晶体管；以及

将所述掩埋条连接到所述半导体晶体管的所述扩散区。

7．权利要求6的方法，其中所述掩埋条将所述第一导电材料和所述第二导电材料电连接到所述半导体晶体管的所述扩散区。

8．权利要求6的方法，其中制作所述沟槽的所述步骤，包含腐蚀所述衬底以为深沟槽电容器提供空间的步骤。

9．权利要求6的方法，其中腐蚀所述颈圈材料的所述步骤，包含所述颈圈材料的各向异性干法反应离子刻蚀步骤。

10．权利要求6的方法，其中所述衬底包含硅衬底，所述颈圈材料包含颈圈氧化物，所述第一导电材料包含多晶硅，所述第二导电材料包含多晶硅。

11．一种深沟槽电容器，它包含：

具有沟槽的衬底，所述沟槽具有下部区和上部区；

位于所述沟槽的所述下部区中的第一导电层；

所述沟槽的所述上部区中位于所述第一导电层上的第二导电层，所述第二导电层具有条区和所述条区以下的颈圈区；以及

位于所述沟槽与所述第二导电层的所述颈圈区之间的颈圈层；

其中所述第二导电层的所述条区包含掩埋条。

12．权利要求11的深沟槽电容器，其中所述第二导电层包含单一均匀结构。

13．权利要求11的深沟槽电容器，其中所述掩埋条包含所述深沟槽电容器与外部器件之间的连接。

14．权利要求11的深沟槽电容器，其中所述第一导电层和所述第二导电层包含多晶硅，而所述颈圈材料包含颈圈氧化物。

15．权利要求11的深沟槽电容器，其中所述第一导电层被电连接到所述第二导电层。

16．一种半导体器件，它包含：

具有沟槽的衬底，所述沟槽具有下部区和上部区；

位于所述沟槽的所述下部区中的第一导电层；

所述沟槽的所述上部区中位于所述第一导电层上的第二导电层，所述第二导电层具有条区和所述条区以下的颈圈区；

位于所述沟槽与所述第二导电层的所述颈圈区之间的颈圈层；

连接于所述第二导电层的所述条区的半导体晶体管，

其中所述第二导电层的所述条区包含掩埋条。

17．权利要求16的半导体器件，其中所述第二导电层包含单一均匀结构。

18．权利要求16的半导体器件，其中所述半导体晶体管包括扩散区，所述掩埋条将所述第二导电层电连接到所述扩散区。