[发明专利]半导体陶瓷电容器的基片生产工艺

权利要求书

1．半导体陶瓷电容器的基片生产工艺，包括表面型半导体电容器基片生产工艺品流程为：将配合好的坯料经搅拌机辗轧机进行捏合、辗轧后，在冰冻条件下处理，然后，再经过辗轧机进行辗轧，辗轧完毕后，在挤膜机上挤出带状膜片，带状膜片经过冲膜机后，冲击所需直径的膜片，进行混粉工序后，装入钵体内，由传送带送入排胶、烧成炉内进行排胶、烧成过程，经过该工序后，再由传送带送入混合气氛状况下的半导化处理炉中进行再氧化处理，经过此工序后，坯料则变成半导体陶瓷基片成品；晶粒边界型半导体电容器基片生产工艺流程为：将配合好的坯料经搅拌机、辗轧机进行捏合、辗压后，在冰冻条件下处理，然后，再经辗轧机进行辗轧，辗轧完毕后，在挤膜机上挤出带状膜片，带状膜片经冲膜机后，冲出所需直径的膜片，进行混粉工序后，装入钵体内，由传送带送入排胶炉内进行排胶过程，经过该工序后，再由传送带送入混合气氛状况下的烧成及半导化处理炉中进行晶粒表面金属氧化膜形成的处理，经过此工序后，坯料则变成半导体陶瓷基片成品，其特征在于：

a、表面型半导体基片的排胶、烧成的生产工艺为：

排胶区：炉温从室温升至于1200℃至1400℃，基片在炉体内的移动距离为5．4米，时速为每小时0．3至0．6米；

烧成区：炉温恒定于1200℃至1400℃，基片在炉体内移动的距离为1．4米，时速为每小时0．3米至0．6米；

降温区：炉温从1200℃至1400℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；

b、晶粒边界型基片的排胶生产工艺为：

升温区：炉温从室温升至1000℃至1200℃，基片在炉体内移动的距离为5．65米，时速为每小时0．4米至0．6米；

排胶区：炉温恒定于1000℃至1200℃，基片在炉体内移动1米，时速为每小时0．4米至0．6米；

降温区：炉温从10000℃至1200℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动2．35米，时速为每小时0．4米至0．6米；

c．表面型半导体基片的半导化生产工艺为：

加温区：炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内的移动距离为3．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；

升温区：炉温从400℃升至900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为2．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；

半导化处理区：炉温恒定于900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为0．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；

降温区：炉温从900℃至1200℃降至200℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；

d．晶粒边界型基片的半导化生产工艺为：

加温区：炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内移动的距离为3米，时速为0．4米至0．6米；

升温区：炉温从400℃升至1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为2．5米，时速为每小时0．4米至0．6米；

烧成及半导化处理区：炉温恒定于1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为1．5米，时速为每小时0．4米至0．6米，

降温区：炉温从1300℃至1500℃降至200℃，基片在炉体内移动的距离为2米，时速为每小时0．4米至0．6米。