[发明专利]半导体陶瓷电容器的基片生产工艺

说明书

本发明涉及一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺。

半导体陶瓷电容器由于其体积小，比容大的特点，对优化电子线路，改善整机性能，促进小型化，轻量化，具有重要的作用。然而，目前我国所使用的半导体电容器基片均依赖进口，而国外却无这方面的资料可供查询。

本发明的目的在于提供一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺。

本发明采用氨分解的混合气氛下，在组合炉内连续自动进行半导化处理，适合大规模生产的要求，大大降低了成本，它与国外目前普遍采用在纯H₂、纯N₂气氛条件下，在间歇式电炉或者虽在传送式气氛炉内进行半导化处理，产量大大提高，无疑是技术上的一大进步。

下面结合附图对本发明进一步说明：

附图1为本发明的半导化处理温度曲线图

附图2为本发明的排胶、烧成温度曲线图

附图3为表面型及晶粒边界型半导体基片生产工艺流程图

见附图1，L₁—表面型半导体基片的排胶、烧成的生产工艺，工艺为：

排胶区：炉温从室温升至于1200℃至1400℃，基片在炉体内的移动距离为5．4米，时速为每小时0．3米至0．6米；

烧成区：炉温恒定于1200℃至1400℃，基片在炉体内移动的距离为1．4米，时速为每小时0．3米至0．6米；

降温区：炉温从1200℃至1400℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；

L₂—晶粒边界型基片的排胶生产工艺，工艺为：

升温区：炉温从室温升至1000℃至1200℃，基片在炉体内移动5．65米，时速为每小时0．4米至0．6米；

排胶区：炉温恒定于1000℃至1200℃，基片在炉体内移动1米，时速为每小时0．4米至0．6米；

降温区：炉温从1000℃至1200℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动2．35米，时速为每小时0．4米至0．6米；

见附图2，L₃—表面型半导体基片的半导化生产工艺，工艺为：

加温区：炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内移动距离为3．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；

升温区：炉温从400℃升至900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为2．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；

半导化处理区：炉温恒定于900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为0．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；

降温区：炉温度从900℃至1200℃降至200℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；

L₄-晶粒边界型基片的半导化生产工艺，工艺为：

加温区：炉温从200℃升至400℃，基片在炉体移动的距离为3米，时速为0．4米至0．6米；

升温区：炉温从400℃升至1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为2．5米，时速为每小时0．4米至0．6米；

烧成及半导化处理区：炉温恒定于1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为1．5米，时速为每小时0．4米至0．6米；

降温区：炉温从1300℃至1500℃降至200℃，基片在炉体内移动2米，时速为每小时0．4米至0．6米；

表面型半导体基片在通过A炉完成半导化处理后，在氧化气氛的条件下，在900℃至1000℃温度下经过1至2小时在炉内进行半导化瓷片表面绝缘处理。

晶粒边界型半导体基片在A炉完成半导化处理后，在基片晶粒表面形成金属氧化物。