[发明专利]降低半导体功率器件结温的工艺流程

权利要求书

1、一种降低半导体功率器件结温的工艺流程，其特特征在于将半导体功率器件的散热器的安装面先用铣床，后用磨床进行机械加工，随后用铝材化学研磨剂进行化学研磨，上述完成后，将导热绝缘片两面涂上硅脂，半导体功率器件安装面涂上硅脂，三个零件固定在一起，送入烘箱高温去潮，去潮后，立即对半导体器件喷三防材料，室温贮存1-4小时，半导体功率器件表面出现一层保护膜。

2、根据权利要求1所述的一种降低半导体功率器件结温的工艺流程，其特征在于，铣床加工时，铣20丝至200丝，磨床磨3丝至50丝。

3、根据权利要求1所述的一种降低半导体功率器件结温的工艺流程，其特征在于，化学研磨时间：30分钟至4小时。

4、根据权利要求1所述的一种降低半导体功率器件结温的工艺流程，其特征在于，烘箱高温去潮过程，温度70℃-150℃，时间20分钟-2小时。

5、根据权利要求1所述的一种降低半导体功率器件结温的工艺流程，其特征在于，高温去潮后，立即对功率器件喷三防材料，室温贮存时间2小时-3小时，功率器件表面出现一种薄膜。

6、根据权利要求1所述的一种降低半导体功率器件结温的工艺流程，其特征在于，所叙的机械加工的光洁度为8级-12级。