[发明专利]双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列

权利要求书

1.一种动态随机存取存储(DRAM)器件，包括：

多个安排在半导体衬底表面的深槽；和

每个同一衬底极板沟槽DRAM单元有关联的第一种多个沟槽包括：一个转移器件、一个数据节点和一个同做在深槽内的电容器极板相连接的存储节点，并同衬底的一个区域相耦连；

其特征在于还包括：

一个贯通所说的沟槽的反型半导体材料的隐埋区域；以及

一个包围在深槽矩阵周围并同隐埋区域相接触的表面扩散隔离区域，使得在矩阵内的衬底区域在电学上和结构上同衬底的其余部分相隔离。

2.权利要求1所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，衬底的杂质导电类型是P型，而隐埋区域和表面扩散区域的杂质导电类型是N型。

3.权利要求2所述的动态随机存取存储器件，其特征在于，隐埋扩散区域内的杂质是砷。

4.一种制作动态随机存取存储器件的方法，包括下列步骤：

制备第一种导电类型的半导体衬底；

在所说衬底的至少一部分面积上形成一隐埋区域；

在所说衬底的顶部表面按图形形成深沟槽阵列；以及

在所说的深沟槽内侧形成一介质层，并用导电电极材料填充所说的沟槽；

其特征在于进一步包括步骤：

环绕所说的沟槽阵列的周围，进行离子注入和扩散，形成第二导电类型的扩散区，使其深度能在结构上和电学上隔离开在所说的隐埋区上的矩阵图形内的部分衬底；以及

在矩阵图形的被隔离部分内，形成多个半导体器件，用以耦连到达和来自在至少一些所说的深沟槽内的导电电极材料的信号。

5.权利要求4所述的制作动态随机存取存储器件的方法，其特征在于，在所说的深沟槽内侧形成介质层的步骤包括在所说的深沟槽顶部形成一个厚介质衬层的步骤。

6.权利要求4所述的制作动态随机存取存储器件的方法，其特征在于，用于形成隐埋区域的掺杂剂材料源是N型的。