[发明专利]具有迭式电容器的动态随机存取存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种包括多个存储单元的DRAM，其特征在于，每个存储单元包括一个具有一个栅电极及一对扩散区的MOSFET；一个迭式电容器，该迭式电容器有一个圆柱型的下电极、一个上电极、以及一层夹在所述上电极和所述下电极之间的电容器电介质膜，其中至少上电极的一部分被容纳于所述下电极；以及一个用于将其中一个所述扩散区连接到所述下电极的电容器触点。

2.如权利要求1所定义的DRAM，其特征在于，所述电容器触点包括一个直接与所述其中一个所述扩散区相连的多晶硅插头和一层直接与所述下电极相连并与所述多晶硅插头电连接的硅-扩散-阻挡导电层。

3.如权利要求2所定义的DRAM，其特征在于，所述电容器触点还包括一层插入在所述多晶硅插头和所述硅-扩散-阻挡导电层之间的硅化物接触层。

4.如权利要求1所定义的DRAM，其特征在于，所述电容器触点包括一个直接与所述其中一个所述扩散区相连的第一触点插头和一个覆盖在所述第一触点插头上面的第二触点插头。

5.如权利要求4所定义的DRAM，其特征在于，所述第一触点插头包括硅，并且所述第二触点插头包括硅-扩散-阻挡导体。

6.如权利要求5所定义的DRAM，其特征在于，所述电容器触点还包括在所述第一触点插头和所述第二触点插头之间插入的一层硅化物接触层。

7.如权利要求6所定义的DRAM，其特征在于，所述硅化物接触层包括TiSi₂，所述第二触点插头包括TiN，所述下电极包括Ru。

8.如权利要求1所定义的DRAM，其特征在于，所述电容器电介质膜包括一种如下所表示的化合物：总分子式为ABO₃，其中A选取于元素Ba、Sr、Pb、Ca、La、Li和K中的一种或多种，B选取于元素Zr、Ti、Ta、Nb、Mg、Mn、Fe、Zn和W中的一种或多种；总分子式为(Bi₂O₂)(A_m-1B_mO_3m+1)，其中m＝1、2、3、4和5，A是选取于元素Ba、Sr、Pb、Ca、La、K和Bi中的一种或多种，B是选取于元素Nb、Ta、Ti和W中的一种或多种；或Ta₂O₅。

9.如权利要求1所定义的DRAM，其特征在于，多个所述电容器共用一个所述电容器电介质膜和一个所述上电极，每个所述电容器具有专用的所述下电极。

10.如权利要求1所定义的DRAM，其特征在于，所述下电极包括一种抗氧化金属或金属氧化物。

11.如权利要求10所定义的DRAM，其特征在于，所述抗氧化金属或金属氧化物包括Pt、Ru、Ir、RuO₂和IrO₂中的一种或多种。

12.如权利要求1所定义的DRAM，其特征在于，所述电容器触点包括在所述电容器触点上部的一种或多种难熔金属或其氮化物。

13.一种制作DRAM的方法，其特征在于，包括步骤：

在一个硅衬底的一个隔离区中形成一个具有一个栅极和一对扩散区的MOSFET；

形成覆盖所述MOSFET并具有一个通孔的一层第一电介质膜，该通孔容纳一个所述扩散区相连的一个电容器触点；

在所述第一电介质膜上，形成包括一个开口的第二电介质膜，该开口有一个底部，暴露出所述电容器触点的顶部；

形成一个电容器，其具有在所述第二电介质膜的所述开口中的下电极、一层电容器电介质膜以及一个上电极，所述下电极有一个圆柱型形状并容纳至少所述上电极的一个部分。

14.如权利要求13所定义的方法，其特征在于，所述MOSFET有一层在所述栅电极上的氮化硅膜；

15.如权利要求13所定义的方法，其特征在于，所述第一电介质膜形成的步骤包括：形成所述第一电介质膜的第一层面，所述第一电介质膜有一个容纳第一触点插头的所述通孔的第一部分；形成所述第一电介质膜的第二层面，所述第一电介质膜有一个容纳与所述第一触点插头相连的第二触点插头的所述通孔的第二部分。