[发明专利]半导体衬底及其制备方法无效

申请号：	99119561.2	申请日：	1999-07-23
公开（公告）号：	CN1245971A	公开（公告）日：	2000-03-01
发明（设计）人：	盐田活	申请（专利权）人：	佳能株式会社
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L27/12
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	王以平
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体衬底及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种制备半导体衬底的方法，包括将含有半导体层区的第一基板与第二基板键合的步骤和去除第一基板而在第二基板上留下该半导体层区的步骤，其中根据第二基板的成分，确定进行键合步骤时的气氛中的n-型杂质浓度和p-型杂质浓度之间的数量关系。

2.根据权利要求1的制备半导体衬底的方法，其中：当键合表面侧上的第二基板的至少一部分是电阻率不小于100Ωcm的n-型半导体时，在键合步骤的气氛中n-型杂质浓度低于p-型杂质浓度；当键合表面侧上的第二基板的至少一部分是电阻率不小于300Ωcm的n-型半导体并覆盖有绝缘层时，在键合步骤的气氛中p-型杂质浓度低于n-型杂质浓度；且当键合表面侧上的第二基板的至少一部分是电阻率不小于100Ωcm的p-型半导体，在键合步骤的气氛中p-型杂质浓度低于n-型杂质浓度。

3.根据权利要求1或2的制备半导体衬底的方法，其中p-型杂质浓度是硼浓度并且n-型杂质浓度是磷浓度。

4.根据权利要求1或2的制备半导体衬底的方法，其中p-型杂质浓度是硼浓度且不大于0.05纳克/升，且n-型杂质浓度是磷浓度且不大于0.1纳克/升。

5.根据权利要求1或2的制备半导体衬底的方法，其中第二基板是FZ硅晶片。

6.根据权利要求1或2的制备半导体衬底的方法，其中在键合步骤中或在键合步骤之后，在不小于900℃的温度下进行热处理。

7.根据权利要求1或2的制备半导体衬底的方法，其中形成半导体衬底的第二基板的半导体表面部分的电阻率不小于100Ωcm。

8.根据权利要求1或2的制备半导体衬底的方法，其中在形成半导体衬底的第二基板的半导体表面附近形成朝着第二基板表面电阻率升高的区域。

9.一种具有SOI结构的半导体衬底，该衬底是通过权利要求1或2所述的制备半导体衬底的方法制备的。

10.一种半导体衬底，该衬底具有通过绝缘层形成在半导体构成的支撑衬底之上的单晶半导体构成的半导体层区，其中支撑衬底的成分使紧靠绝缘层之下的半导体表面部分是电阻率不小于100Ωcm的半导体，和/或使支撑衬底具有沿其厚度方向朝着绝缘层电阻率升高的区域。

11.一种制备半导体衬底的方法，包括将含有半导体层区的第一基板与第二基板键合的步骤和去除第一基板而在第二基板上留下该半导体层区的步骤，其中在n-型杂质浓度低于p-型杂质浓度的气氛中进行键合步骤，且第二基板在键合表面侧上具有电阻率不小于100Ωcm的n-型半导体组成的部分。

12.根据权利要求11的制备半导体衬底的方法，其中在半导体层区的表面上形成绝缘层之后，第一基板与第二基板键合。

13.根据权利要求11的制备半导体衬底的方法，其中第二基板在其键合表面侧具有绝缘层。

14.根据权利要求11的制备半导体衬底的方法，其中从气氛渗透到第二基板的p-型杂质浓度不小于第二基板中n-型杂质浓度的0.1倍，不大于第二基板中n-型杂质浓度的2倍。