[发明专利]具有公共位接触区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，它包含：

具有第一导电类型表面区的半导体衬底；

用来确定以二维规则安置在半导体衬底表面上的多个有源区的场绝缘膜，各个有源区包括一个位接触区和沿四个方向从位接触区延伸的辅助有源区；

多个第一和第二字线，此多个第一字线作为一个整体沿第一方向在半导体衬底上延伸，而多个第二字线作为一个整体在半导体衬底上沿第二方向延伸，第一方向与第二方向相交，且在各个有源区中，二个辅助有源区与第一字线相交，而其余二个辅助有源区与第二字线相交；

在半导体衬底上与第一和第二方向相交的多个位线，各个位接触区被连接于相应的一个位线；以及

用来使第一字线、第二字线和位线彼此绝缘的层间绝缘区。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中多个位线作为一个整体沿彼此相交的第三和第四方向延伸。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中多个位线作为一个整体沿同一个方向延伸。

4.根据权利要求2的半导体器件，其中多个沿所述第三或第四方向延伸的位线中的每一个，被连接到沿所述第三或第四方向安置的每个第二位接触区。

5.根据权利要求3的半导体器件，其中一个位接触区和沿所述同一个方向安置的最近的位接触区，被连接到不同的位线。

6.根据权利要求1的半导体器件，其中场绝缘膜还确定与位接触区相对的各个辅助有源区的端点共用连接的公共有源区。

7.根据权利要求6的半导体器件，还包含安置在各个辅助有源区与相应字线之间辅助有源区与字线相交处的浮栅电极，其中的半导体器件是非易失半导体存储器。

8.根据权利要求1的半导体器件，其中的场绝缘膜围绕与位接触区相对的各个辅助有源区的端部，且半导体器件还包含连接于此端部的存储电极，并且该半导体器件是DRAM。