[发明专利]薄膜磁头坯料及其制造方法和薄膜磁头的制造方法无效

专利信息
申请号: 99121302.5 申请日: 1999-10-10
公开(公告)号: CN1291767A 公开(公告)日: 2001-04-18
发明(设计)人: 佐佐木芳高;伊藤浩幸 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 姜郛厚,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 磁头 坯料 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜磁头坯料,该薄膜磁头坯料有成多列地排列作为薄膜磁头的磁头预定部分,并成为相邻列间切断位置的列间切断预定部分,和作为各列中相邻磁头预定部分间切断位置的列内切断预定部分,其特征在于,该薄膜磁头坯料包括:

检测对薄膜磁头坯料进行预定加工时的加工量的加工量检测元件,

形成在所述列间切断预定部分中的使所述加工量检测元件与外部电连接的电极,和

电连接该电极与所述加工量检测元件的导体部分。

2.如权利要求1所述的薄膜磁头坯料,其特征在于,在所述列内切断预定部分形成所述加工量检测元件和所述导体部分。

3.一种薄膜磁头坯料的制造方法,该薄膜磁头坯料有成多列地排列作为薄膜磁头的磁头预定部分,并成为相邻列间切断位置的列间切断预定部分,和作为各列中相邻磁头预定部分间切断位置的列内切断预定部分,

其特征在于,设置对薄膜磁头坯料进行预定加工时的加工量进行检测的加工量检测元件,使该加工量检测元件与外部电连接的电极,和电连接该电极与所述加工量检测元件的导体部分,同时在所述列间切断预定部分形成所述电极。

4.如权利要求3所述的薄膜磁头坯料的制造方法,其特征在于,在所述列内切断预定部分形成所述加工量检测元件和所述导体部分。

5.一种薄膜磁头的制造方法,采用薄膜磁头坯料制造薄膜磁头,该薄膜磁头坯料有成多列地排列作为薄膜磁头的磁头预定部分,并成为相邻列间切断位置的列间切断预定部分,和作为各列中相邻磁头预定部分间切断位置的列内切断预定部分,

其特征在于,该方法包括:

制造薄膜磁头坯料的薄膜磁头坯料制造工序,该薄膜磁头坯料包括用以检测对薄膜磁头坯料进行预定加工时的加工量的加工量检测元件,形成在列间切断预定部分中的使所述加工量检测元件与外部电连接的电极,和电连接该电极与所述加工量检测元件的导体部分;

一边监视通过所述电极获得的所述加工量检测元件的输出信号,一边对所述薄膜磁头坯料进行预定加工的加工工序;

在所述列间切断预定部分切断完成该加工工序后的薄膜磁头坯料,形成将磁头预定部分排列成一列磁头集合体的磁头集合体形成工序;和

在所述列内切断预定部分切断由该磁头集合体形成工序形成的磁头集合体,形成薄膜磁头的薄膜磁头形成工序。

6.如权利要求5所述的薄膜磁头的制造方法,其特征在于,所述薄膜磁头坯料制造工序在所述列内切断预定部分中形成所述加工量检测元件和所述导体部分。

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