[发明专利]薄膜磁头坯料及其制造方法和薄膜磁头的制造方法

说明书

本发明涉及带有加工量检测元件的薄膜磁头坯料及其制造方法，以及利用加工量检测元件的薄膜磁头的制造方法。

一般来说，磁盘装置等使用的浮起型薄膜磁头是能由在后端部形成薄膜磁头元件的薄膜磁头滑动器(以下简单地称为滑动器)构成的。滑动器一般有表面作为介质相对面(空气承载面)的轨道部分，同时在空气流入侧的端部附近还有锥体部分或阶梯部分，利用从锥体部分或阶梯部分流入的空气流，轨道部分从磁盘等存储介质的表面会稍稍浮起。

此外，作为薄膜磁头元件，广泛使用层积着写入用感应型磁变换元件和读出用磁阻抗(以下记为MR(磁阻))元件的结构的复合型薄膜磁头元件。

一般来说，在一个方向上切断成多列排列的将成为包括各个薄膜磁头元件的滑动器部分(以下称为滑动器部分)的晶片，形成一列排列滑动器部分的称为条带的块，在对该条带形成轨道部分后，切断条带，使其分离成各滑动器，由此制造薄膜磁头滑动器。

在这种滑动器的制造工序中，包括对条带的介质相对面实施磨削和研磨等加工的介质相对面的加工工序，以及从晶片切出条带的条带切断工序。再有，条带的介质相对面的加工工序和条带切断工序的顺序因条带的介质相对面的加工和从晶片中切出条带的方法而有所不同。

在介质相对面的加工工序中，必须将包含于条带中的各薄膜磁头元件的MR高度和缝隙高度完全收容在允许范围内，同时还必须将被加工面的加工精度收容在预定的允许范围内。再有，把从MR元件的介质相对面侧的端部至相对侧端部的长度(高度)称为MR高度。此外，感应型磁转换元件中的磁极部分的长度(高度)称为缝隙高度。

在介质相对面的加工工序中，作为正确控制包含于条带中的各薄膜磁头元件的MR高度和缝隙高度的方法，有在晶片上预先形成检测加工量的加工量检测元件(也称为抛光导槽)，在介质相对面的加工工序中，监视加工量检测元件的输出信号，按照其输出信号高精度控制加工的方法。作为加工量检测元件，例如，使用按照其尺寸改变电阻值的电阻元件。

在介质相对面的加工工序中，为了可以监测加工量检测元件的输出信号，除加工量检测元件外，必须在晶片上预先形成电连接加工量检测元件与外部加工装置的控制部分的监视电极和电连接该监视电极与加工量检测元件的监测引线(导体部分)。

图13是表示在相关技术的薄膜磁头制造所用的晶片中的加工量检测元件、检测电极和监测引线配置一例的图。该例中，在晶片100内，成多列地排列薄膜磁头元件101。各薄膜磁头元件101分别有包括感应型磁转换元件和MR元件的元件部分102，和使该元件部分102与外部电连接的多个电极103。在图13所示的例中，在晶片100内各列中相邻的薄膜磁头元件101之间，配置有加工量检测元件111，两个检测电极112a、112b，电连接加工量检测元件111与各检测电极112a、112b的两根监测引线113a、113b。

图14是表示相关技术的薄膜磁头制造所用的晶片中的加工量检测元件、检测电极和监测引线配置的另一例的图。该例是例如在日本特开平8-287424号公报中披露的实例。在该例中，与图13所示的实例相同，在晶片100内，各列中相邻的薄膜磁头元件101之间，配置有加工量检测元件111，检测电极112a、112b和监测引线113a、113b，但一个检测电极112a接地，与薄膜磁头元件101的电极103中的一个电极共用。

在图13所示的例中，由于在各列中相邻的薄膜磁头元件101之间，配置有加工量检测元件111、检测电极112a、112b和监测引线113a、113b，所以与未配置它们的情况相比，可以看出各列中薄膜磁头元件101的间距变大，存在用相同长度的条带制成的薄膜磁头的获得个数变少的问题。

与此不同，在图14所示的例中，与图13所示的例相比，可减小各列中的薄膜磁头元件101的间距，可增加相同长度条带的薄膜磁头的获得个数。但是，即使在该例中，在各列中相邻的薄膜磁头元件101之间，多余地配置一个检测电极112b，与未配置检测电极112b的情况相比，各列的薄膜磁头元件101的间距仍然变大，也存在用相同长度的条带制成的薄膜磁头的获得个数变少的问题。尤其是由于检测电极112b那样的电极必须与接合线连接，不能过小，所以其影响大。例如，如果接合线的直径为30μm左右，那么检测电极112b一边的长度必须为100μm左右。