[发明专利]积层电子元件有效
| 申请号： | 99123334.4 | 申请日： | 1999-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1252609A | 公开（公告）日： | 2000-05-10 |
| 发明（设计）人： | 岩尾秀美;川田敏文 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子元件 | ||
1.一种积层电子元件，具有：积层多层陶瓷层(1，1’)的积层体(11)，形成于此积层体(11)的陶瓷层(1)的层间、在该积层体(11)的内部连成线圈状而依序连接的内部电极(5a～5d)，至少与一部分内部电极(5a～5d)连接、设于积层体(11)端部的外部电极(14)，其特征为具有：位于具有内部电极(5a～5d)的陶瓷层(1，1)之间不具内部电极(5a～5d)的陶瓷层(1”)，将邻接于此陶瓷层(1”)两侧所积层形成于上述陶瓷层(1，1)的内部电极(5a～5d)连成线圈状的连接装置。
2.一种积层电子元件，具有：积层多层陶瓷层(1，1’)的积层体(11)，形成于此积层体(11)的陶瓷层(1)的层间、在该积层体(11)的内部连成线圈状而依序连接的内部电极(5a～5d)，至少与一部分内部电极(5a～5d)连接、设于积层体(11)端部的外部电极(14)，其特征为具有：位于具有内部电极(5a～5d)的陶瓷层(1，1)之间不具有内部电极(5a～5d)的陶瓷层(1”)，设于这些陶瓷层(1”)、将在其两侧邻接所积层的上述陶瓷层(1，1)所形成的内部电极(5a～5d)连成线圈状用于填充所连接的贯通孔导体的贯通孔(6’)。
3.如权利要求2所述的积层电子元件，其特征在于，不具有内部电极(5a～5d)的陶瓷层(1”)为将多片陶瓷薄膜(9)重叠成为一层。
4.如权利要求3所述的积层电子元件，其特征在于，在构成不具有内部电极(5a～5d)的陶瓷层(1”)的多片陶瓷薄膜(9)所对应的位置预先形成有贯通孔(6’)。
5.如权利要求4所述的积层电子元件，其特征在于，陶瓷薄膜(9)的贯通孔(6’)由激光加工穿孔。
6.如权利要求1至5任一项所述的积层电子元件，其特征在于，不具内部电极(5a～5d)的陶瓷层(1”)位于内部电极(5a～5d)的1圈陶瓷层(1，1)之间。
7.如权利要求1至5任一项所述的积层电子元件，其特征在于，不具内部电极(5a～5d)的陶瓷层(1”)位于内部电极(5a～5d)的半圈陶瓷层(1)之间。
8.如权利要求1-7任一项所述的积层电子元件，其特征在于，积层体(11)的陶瓷层(1，1’，1”)在与外部电极(14，14)相对方向垂直的方向积层。
9.如权利要求1至7任一项所述的积层电子元件，其特征在于，积层体(11)的陶瓷层(1，1’，1”)在外部电极(14，14)相对的方向积层。
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