[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 99125004.4 | 申请日： | 1999-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1253380A | 公开（公告）日： | 2000-05-17 |
| 发明（设计）人： | 芦田勉 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
使多个第一导电型半导体区域(7a、7b)和多个第二导电型半导体区域(5a、5b)相互相邻且交错形成的第一导电型半导体衬底(1)，
以所述第二导电型半导体区域(5a、5b)作为源区和漏区，以其间的第一导电型半导体区域(7a)作为沟道部分的第一晶体管(A)，和
以所述第一导电型半导体区域(7a、7b)作为源区和漏区，以其间的第二导电型半导体区域(5b)作为沟道部分，与所述第一晶体管(A)邻接形成以便该源区或漏区可兼做所述第一晶体管(A)的所述沟道部分的第二晶体管(B)，
在所述第一和第二晶体管(A、B)中，在一个晶体管工作期间，在另一个晶体管中，反向偏置第一和第二导电型半导体区域(5a、5b、7a、7b)的接合部位。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管(A)有多个第一栅电极(9)，所述第二晶体管(B)有多个第二栅电极(11)，
各第一栅电极(9)和各第二栅电极(11)通过绝缘膜(10)至少部分地重叠沉积。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述一个晶体管工作期间，所述另一个晶体管保持非导通状态。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
形成在所述第一和第二晶体管(A、B)与所述第一导电型半导体衬底(1)之间的氧化硅层(2)，
形成在所述氧化硅层(2)上的第一导电型硅层(4)，和
形成在所述第一导电型硅层(4)内，使第一和第二晶体管(A、B)与周边晶体管绝缘的绝缘隔离氧化膜(3)。
5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
与所述第一和第二晶体管(A、B)的源区和漏区连接的多个位线(f1-f4)，和
连接所述位线(f1-f4)与所述第一和第二栅电极(9、11)的位扩散线(5c、7c)，
所述位扩散线(5c、7c)向所述第一导电型半导体衬底(1)的两端延伸。
6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
与所述第一和第二晶体管(A、B)的源区和漏区连接的多个位线(f1-f4)，和
连接所述位线(f1-f4)与所述第一和第二栅电极(9、11)的位扩散线(5c、7c)，
所述第一和第二栅电极(9、11)配置在所述第一导电型半导体衬底(1)的两端侧，所述位扩散线(5c、7c)从所述两端侧向中间部分延伸，与所述位线(f1-f4)连接。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括与所述第一和第二晶体管(A、B)的源区和漏区连接的多个位线(f1-f4)，
所述多个位线(f1-f4)由金属构成，通过绝缘膜相互沉积。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
