[发明专利]具有延长的电迁移寿命的连接件无效
| 申请号： | 99127824.0 | 申请日： | 1999-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1261724A | 公开（公告）日： | 2000-08-02 |
| 发明（设计）人： | R·F·施纳贝尔;R·菲利皮;M·霍因基斯;S·维贝尔;R·伊古尔登;P·维甘德;L·克勒温格 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/203;C23C14/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 延长 迁移 寿命 连接 | ||
1.一种用于延长金属互连件的电迁移寿命的方法，包括：
采用电离金属等离子体物理汽相淀积工艺来淀积衬里；和
在所述衬里上淀积所述金属互连件，其中所述衬里可减小所述金属互连件的晶粒的倾斜分布，从而延长电迁移寿命。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬里包括具有高的电迁移阻抗的材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬里包括过渡金属。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬里包括过渡金属的氮化物。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述过渡金属选自包括钛、钽、铌和钼的组。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬里包括钛或钽。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬里包括钛或钽的合金或氮化物。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电离金属等离子体物理汽相淀积工艺在淀积所述衬里是在约1-10eV的电场下进行的。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电离金属等离子体物理汽相淀积工艺淀积所述衬里是在约0-400℃的温度下进行的。
10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电离金属等离子体物理汽相淀积工艺淀积所述衬里是在约0-100℃的温度下进行的。
11.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电离金属等离子体物理汽相淀积工艺淀积所述衬里是在约1×10-9mtorr至约大气压力的压力下进行的。
12.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电离金属等离子体物理汽相淀积工艺淀积所述衬里是在约1×10-8至1×10-7mtorr的压力下进行的。
13.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬里的淀积的厚度足以减少后来淀积的导体材料中的晶粒的倾斜分布，从而延长其电迁移寿命。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述衬里的厚度为约10-1000。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述衬里的厚度为约100-800。
16.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，它还包括在所述衬里已淀积之后对其进行退火。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述退火是在约200-500℃的温度下进行的。
18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述退火进行约10秒至60分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
