[实用新型]锑－铟系化合物半导体磁阻式电流传感器

权利要求书

1、一种锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器，其特征在于：它由锑-铟系化合物磁阻半导体磁阻芯片(1)、导体(2)、永磁体(3)、铁磁性物质薄片(4)、用来支承磁阻芯片的基片(5)共同相互联结构成，其相互联结关系为：磁阻芯片(1)通过粘结剂或真空蒸镀、溅射方法固定在基片(5)上，基片(5)通过粘结剂与铁磁性物质薄片(4)粘合，铁磁性物质薄片(4)通过粘结剂与永磁体(3)粘合，导体(2)整根横跨磁阻芯片(1)。

2、按权利要求1所述的锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器，其特征在于所述的磁阻芯片(1)可制成薄膜型或单晶型各种形状、多端型磁阻芯片。

3、按权利要求1所述的锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器，其特征在于所述的导体(2)是整根横跨于并平行于磁阻芯片(1)表面或背面，并可以二根导体或多根导体并联，且只其中一根导体横跨磁阻芯片，其余可绕过磁阻芯片。

4、按权利要求1所述的锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器，其特征在于所述的永磁体(3)必须装置于磁阻芯片(1)与基片(5)组合的磁阻元件的正下方或正上方，让磁力线垂直地穿过磁芯片表面。