[实用新型]锑－铟系化合物半导体磁阻式电流传感器

说明书

本实用新型是锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器，属电子器件技术，特别涉及传感器制作技术。

现在市售的用磁阻芯片制造的电流传感器是采用镍铁-镍钴合金薄膜磁阻芯片的。由于这种磁阻芯片的灵敏度比较低，而且还有当磁场增大到一定程度时，磁阻效应易出现饱和等的缺点，这样既需要比较强的电流才能感应出一定的输出电压，而又需要防止电流太大时出现饱和。它通常测量的只是1A以上至20A的大电流，而在实际应用中，往往要监测1A以下甚至0.1A以下的弱电流，因此，小电流场合并不实用。而且这种传感器的结构中如果要加偏磁的话，在装配时应使磁力线平行于磁阻芯片表面，这给制造过程中装配偏磁磁体带来一定困难。

本实用新型的目的就是为了克服和解决现有的磁阻电流传感器存在灵敏度低、易饱和、使得既需较大电流才能感应出一定电压、又需防止过大电流出现饱和、小电流场合并不实用、且制造中装配偏磁较困难等的缺点和问题，研究、设计一种灵敏度高、磁阻效应明显、不易饱和、适于微弱电流场合使用、更适用于检测小于1A电流的体积小、重量轻、结构牢固紧凑、使用寿命长的锑-铟系化合物半导体磁阻式传感器。

本实用新型是通过下述技术方案来实现的：锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器的内部结构示意图如图1和图2所示，电流传感作用原理图如图3所示。本电流传感器由锑-铟系化合物半导体磁阻芯片1、导体2、永磁体3、铁磁性物质薄片4、用来支承磁阻芯片的基片5共同相互联结构成，其相互联结关系为：磁阻芯片1通过粘结剂或常规真空蒸镀、溅射方法固定在基片5上(合称为磁阻元件)，基片5通过粘结剂与铁磁性物质薄片4粘合，铁磁性物质薄片4通过粘结剂与永磁体3粘合，导体2整根横跨磁阻芯片1，即整根横跨于并平行于磁阻芯片1表面或背面，并可二根导体或多根导体并联，且只其中一根导体横跨磁阻芯片，其余可绕过磁阻芯片。为了增大电流传感器的检测范围，可以增加一条一定粗细的导体6，它是与导体2并联的，但并不横跨磁阻芯片1，如图2所示。这样可使外电路的被检测电流一部分流过导体2，另一部分流过导体6，它们二者的电流强度是与导体2、6的横截面积有关的。比如导体6的横截面积是导体2的横截面积的9倍时，可以使检测量程扩展到10倍。在实际应用中，导体6是一根或多根导体。其作用原理为：锑-铟系化合物半导体的磁阻特性曲线如图3所示的抛物线曲线。图3中R_B和R₀分别是有磁场和无磁场时磁阻元件的电阻值，B(T)为外加磁场。由图3可见，R_B/R₀的值是随B(T)值的变化呈抛物线规律而变化的。一般认为，B(T)增大到一定值时，R_B/R₀与B(T)呈一次函数关系。本实用新型的关键是选取引起R_B/R₀与B(T)的关系由二次函数关系向一次函数关系渐变的那个范围内的B(T)值作为电流传感器的工作点，这个工作点是由永磁体3提供一个偏磁场而实现的，假设在图3的B₁点。当外加电压稳定时，输出信号(电压或电流)也是稳定的，如果在输入端施加一个信号A，随之会在输出端获得输出信号B。把图1中导体2与外部被测电路联接且被测电流流过导体2时，该电流会在导体的周围空间产生磁场，这个磁场与永磁体3提供的偏磁场相迭加或相减，使工作点改变，输出电压或电流也随之改变，假设由B₁向B₂处移动，由于抛物线在①点和②点的斜率是不同的，处于由二次函数向一次函数渐变阶段，对相应于与A相等的输入信号C，其相应输出信号D与原先的输出信号B不同，当新的工作点落在抛物线的上升段时，②点的斜率远大于①点的斜率，因此，输出信号增强；可见，在有偏磁场存在时，只要导体2中电流有变化，在磁阻元件的输出端就会有一个变化的信号；实验结果和理论分析都可证实，只要工作点选择恰当，对于各种形状的锑-铟系化合物半导体磁阻芯片和各种粗细的导体2，从磁阻元件输出端获得的输出电压或电流总是与流过导体2的电流基本成正比例近线性关系。锑-铟系化合物半导体的分子表达式为InSb_1-xAs_x(x＝0～1)，其两种极端情况是：当x＝0时，则为锑化铟(InSb)；当x＝1时，则为砷化铟(InAs)，其它情况则是三元的锑砷化铟(In-Sb-As化合物)。由于锑-铟系化合物半导体的磁阻效应比镍铁-镍钴材料磁阻效应高出许多倍，可以选择合适的锑-铟系化合物半导体材料制作磁阻元件。因此，本实用新型可以制成能检测导体2中流过的、也即是外部被测电路中的毫安级以上的弱小电流，这样就扩展了这类传感器应用场合。