[发明专利]电可擦除可编程分裂栅的存储单元

权利要求书

1．一种电可擦除可编程的存储单元的制造方法，所述存储单元在半导体衬底中有第一和第二隔开的区域，沟道位于两者之间，浮栅与所述衬底隔离，并位于所述沟道的第一部分上，控制栅与所述衬底绝缘，与所述浮栅隔开，并位于所述沟道的第二部分上，第二部分与所述第一部分不同，形成所述浮栅和控制栅的制造方法包括：

在所述衬底上提供第一绝缘材料层；

在所述第一绝缘材料层上提供第一多晶硅层；

构图并选择除去部分所述第一多晶硅层；

在所述构图的第一多晶硅层上提供第二绝缘材料层；

选择性地掩蔽部分所述第二绝缘材料层，以在所述对应的第一多晶硅层中定义一区域，该区域将变成所述浮栅；

各向异性地腐蚀所述第二绝缘材料层；

各向同性地腐蚀所述第二绝缘材料层；

各向异性地腐蚀所述第一多晶硅层，由所述第一多晶硅层形成所述浮栅；

氧化所述第一多晶硅层的露出部分形成陡直的边缘；

将二氧化硅淀积在所述第二绝缘材料层上和所述第一多晶硅层已氧化的露出部分上；

将第二多晶硅层淀积在所述淀积的二氧化硅上；

各向异性地腐蚀所述第二多晶硅层形成所述控制栅。

2．根据权利要求1的方法，其中所述第一绝缘材料层为二氧化硅。

3．根据权利要求2的方法，其中所述第二绝缘材料层为二氧化硅。

4．根据权利要求3的方法，还包括以下步骤：

所述各向异性腐蚀所述第一多晶硅层之后，露出第二绝缘材料层的选择性掩蔽部分。

5．一种电可擦除可编程的存储单元，包括：

半导体衬底；

所述衬底中的第一区域；

所述衬底中的第二区域，与所述第一区域隔开，沟道位于两者之间；

所述衬底上的第一绝缘材料层；

所述第一绝缘材料层和所述沟道的第一部分上的浮栅；

所述第一绝缘材料层上的控制栅，位于所述沟道的第二部分上，并与所述浮栅相互隔开；

所述浮栅通过以下步骤制成：

在第一绝缘材料层上形成第一多晶硅层；

构图并选择性除去部分所述第一多晶硅层；

在所述构图的第一多晶硅层上形成第二绝缘材料层；

选择性地掩蔽部分所述第二绝缘材料层，以在所述对应的第一多晶硅层中定义一区域，该区域将变成所述浮栅；

各向异性地腐蚀所述第二绝缘材料层；

各向同性地腐蚀所述第二绝缘材料层；

各向异性地腐蚀第一多晶硅层，由所述第一多晶硅层形成所述浮栅；

氧化所述第一多晶硅层的露出部分形成陡直的边缘。

6．根据权利要求5的存储单元，其中所述控制栅通过以下步骤制成：

将二氧化硅淀积在所述第二绝缘材料层上和所述第一多晶硅层的所述已氧化露出部分上；

将第二多晶硅层淀积在所述已淀积的二氧化硅上；

各向异性地腐蚀所述第二多晶硅层形成所述控制栅。

7．根据权利要求6的存储单元，其中所述第一绝缘材料层为二氧化硅。

8．根据权利要求7的存储单元，其中所述第二绝缘材料层为二氧化硅。

9．根据权利要求8的存储单元，还包括以下步骤：

在所述各向异性腐蚀所述第一多晶硅层之后，露出第二绝缘材料层的选择性掩蔽部分。

10．一种电可擦除可编程的存储单元，包括：

半导体衬底；

所述衬底中的第一区域；

所述衬底中的第二区域，与所述第一区域隔开，沟道位于两者之间；

所述衬底上的第一绝缘材料层；

位于所述第一绝缘材料层和所述沟道的第一部分上的浮栅；

所述浮栅上的第二绝缘材料层，

控制栅，作为所述第二绝缘材料的间隔层，位于所述第一绝缘材料层上和所述沟道的第二部分上，并所述浮栅相互隔开。

11．根据权利要求10的存储单元，其中所述控制栅具有一个与所述第二绝缘材料层对接的基本上平坦的表面和一个基本上与之相对的弯曲的表面。