[发明专利]丙烯的低聚

权利要求书

1．一种用于丙烯低聚的方法，包括在约-100℃～约+200℃的温度下，通式的化合物与丙烯以及下述化合物进行接触：

(a)第一种化合物W，它是一种中性路易斯酸，能从M上夺取X^-和烷基基团或氢化物基团从而生成WX^-、WR²⁰或WH，而且还能将烷基基团或氢化物转移给钴，条件是WX^-是弱配位阴离子；或者

(b)能将烷基或氢化物基团转移给钴的第二种化合物与第三种化合物的复合物，其中第三种化合物是一种中性路易斯酸，能从M上夺取X^-、氢化物基团或烷基基团从而生成弱配位阴离子；

其中：

每个X都是阴离子；

n是1、2或3，以便使所述1个或多个阴离子上的总负电荷等于(Ⅱ)中存在的钴原子的氧化态；

R¹、R²和R³是各自独立的氢、烃基、取代的烃基或者惰性官能团；

R⁴和R⁵是各自独立的氢、烃基、惰性官能团或者取代的烃基；

R⁶和R⁷是芳基或取代的芳基；和

R²⁰是烷基。

2．一种用于丙烯低聚的方法，包括在约-100℃～约+200℃的温度下，通式的三配位基配位体的钴[Ⅱ]或钴[Ⅲ]配合物与丙烯进行接触，其中：

R¹、R²和R³是各自独立的氢、烃基、取代的烃基或者惰性官能团；

R⁴和R⁵是各自独立的氢、烃基、惰性官能团或者取代的烃基；和

R⁶和R⁷是芳基或取代的芳基；

条件是，钴[Ⅱ]或钴[Ⅲ]原子上还键合了一个空配合位或者能被所述丙烯取代的配位体，以及可加成到所述丙烯上的配位体。

3．权利要求1或2的方法，其中：

R⁶是

R⁷是

R⁸和R¹³是各自独立的烃基、取代烃基或惰性官能团；

R⁹、R¹⁰、R¹¹、R¹⁴、R¹⁵和R¹⁶是各自独立的氢、烃基、取代烃基或惰性官能团；

R¹²和R¹⁷是各自独立的氢、烃基、取代烃基或惰性官能团；

条件是，R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶和R¹⁷这些彼此处于邻位的基团中的任意二个基团合在一起可形成一个环。

4．权利要求3的方法，其中：

R¹、R²和R³是氢；

R⁹、R¹⁰、R¹¹、R¹⁴、R¹⁵和R¹⁶是各自独立的卤素、含1～6个碳原子的烷基或氢；

R⁸和R¹³是各自独立的卤素、苯基或含1～6个碳原子的烷基；

R¹²和R¹⁷是各自独立的卤素、苯基、氢或含1～6个碳原子的烷基；

R⁴和R⁵是各自独立的氢或含1～6个碳原子的烷基。

5．权利要求4的方法，其中R⁹、R¹⁰、R¹¹、R¹⁴、R¹⁵和R¹⁶每个都是氢。