[发明专利]分散强化型电解铜箔及其制造方法无效
| 申请号： | 99805622.7 | 申请日： | 1999-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1298458A | 公开（公告）日： | 2001-06-06 |
| 发明（设计）人： | 横田俊子;高桥进;酒井久雄;土桥诚;青木善平 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;H05K3/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹雯,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分散 强化 电解 铜箔 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1．分散强化型电解铜箔，该铜箔是含有SnO2和Sn的电解铜箔，其特征在于，铜作为微细晶粒存在，SnO2作为超微粒子存在而分散分布。
2．权利要求1所述的分散强化型电解铜箔，其特征在于，电解铜箔中的SnO2和Sn的合计量，作为Sn计算，是40～1.1×104ppm。
3．权利要求1或2所述的分散强化型电解铜箔，其特征在于，电解铜箔中的SnO2和Sn的重量比，即SnO2∶Sn=5∶5～9∶1。
4．分散强化型电解铜箔的制造方法，其特征在于，使用含有铜离子、硫酸离子、Sn离子和SnO2超微粒子的电解铜箔制造用电解液制造电解铜箔。
5．分散强化型电解铜箔的制造方法，其特征在于，用含氧气体对含有铜离子、硫酸离子和Sn离子的电解液进行起泡处理，在电解液中生成SnO2超微粒子，使用这样得到的电解铜箔制造用电解液制造电解铜箔。
6．权利要求4或5所述的分散强化型电解铜箔的制造方法，其特征在于，电解液还含有电解铜箔制造用电解液用的有机添加剂。
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