[发明专利]分散强化型电解铜箔及其制造方法无效
申请号: | 99805622.7 | 申请日: | 1999-04-27 |
公开(公告)号: | CN1298458A | 公开(公告)日: | 2001-06-06 |
发明(设计)人: | 横田俊子;高桥进;酒井久雄;土桥诚;青木善平 | 申请(专利权)人: | 三井金属矿业株式会社 |
主分类号: | C25D1/04 | 分类号: | C25D1/04;H05K3/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曹雯,杨丽琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分散 强化 电解 铜箔 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是关于电解铜箔及其制造方法,更详细地说,是关于在制造印刷电路板等中有用的分散强化型(dispersion-strengthened)电解铜箔及其制造方法。
背景技术
以往,在制造电解铜箔时,对电解液组成、电解条件、添加剂的种类等进行各种变更,制造具有适应电解铜箔的各种用途特性的各种电解铜箔,现在也正在开发具有各种组成、组织、特性的电解铜箔及其制造方法。
本发明的目的在于提供具有新的组成、组织的分散强化型电解铜箔。
发明的公开
本发明人对电解铜箔的组成、组织、特性等进行种种研究时发现,在电解铜箔中利用以SnO2作为超微粒子并分散分布,铜也形成微细晶粒,其结果,得到高抗拉强度的分散强化型电解铜箔,并且,使SnO2超微粒子存在于电解铜箔制造用电解液中,通过电解得到这样的电解铜箔,从而完成了本发明。
即,本发明的分散强化型电解铜箔是含有SnO2和Sn的电解铜箔,其特征是,铜作为微细晶粒存在,SnO2作为超微粒子分散分布。
另外,本发明的分散强化型电解铜箔的制造方法的特征是,使用含有铜离子、硫酸离子、Sn离子和SnO2超微粒子的电解铜箔制造用电解液制造电解铜箔。
附图的简单说明
图1是观察利用ESCA(X射线光电子分光法)分析本发明电解铜箔的深度方向的各种深度(即,作为溅射时间的函数)的Sn3d5/2和01s光谱。
图2是换算成电解铜箔中的Sn浓度和O浓度,对电解铜箔的深度方向的深度,即,作为溅射时间的函数,表示ESCA观察的结果,图2(A)表示电解铜箔中的Sn浓度分布,图2(B)表示电解铜箔中的O浓度的测定结果。
图3表示无添加电解铜箔的TEM(透射电子显微镜)观察的结果,图3(A)是明视场,图3(B)是电子射线衍射图样。
图4表示本发明的电解铜箔的TEM(透射电子显微镜)观察的结果,图4(A)是明视场,图4(B)是电子射线衍射图样。
图5表示调查本发明电解铜箔中的SnO2粒子大小或分布状态的高分辨能TEM观察的结果。
图6表示将本发明电解铜箔中的SnO2粒子更为放大的高分辨能TEM观察的结果。
图7表示利用EDX(能量分散型X射线)光谱对电解铜箔进行元素分析的结果,图7(A)表示利用EDX光谱对聚集部分(图6的A部分)进行元素分析的结果,图7(B)表示利用从SnO2部分以外的部分(图6的B部分)得到的EDX光谱进行元素分析的结果。
图8表示利用EDX光谱对用空气将电解液进行起泡处理得到的沉淀物进行元素分析的结果。
实施发明的最佳方式
以下,说明本发明的分散强化型电解铜箔。
本发明的分散强化型电解铜箔既含有SnO2,又含有Sn。这种SnO2作为超微粒子在整个电解铜箔中分散分布,最好在整个电解铜箔中均匀分散分布,这有助于提高电解铜箔的抗拉强度,电解铜箔的抗拉强度可以提高约20%。这种SnO2超微粒子,例如作为2~5nm左右的光滑椭圆形状的单独粒子存在,或者以数个单独粒子集聚的聚集形式存在。另一方面,在电解铜箔中虽然看到Sn的存在,但既没有看到Sn的微粒子,也没有看到Sn的超微粒子,因此认为Sn和铜共析,在铜中发生固溶体化。另外,铜作为微细晶粒,例如作为0.1~2μm的微细晶粒存在,这样的微细晶粒有助于提高电解铜箔的抗拉强度。本发明的分散强化型电解铜箔的抗拉强度依赖于其制造条件,例如SnO2超微粒子的大小、含量、铜微细晶粒的大小等,是40Kgf/mm2以上,根据情况是70Kgf/mm2以上。
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