[发明专利]电阻率测量用外延晶片的制备工艺

权利要求书

1．一种对其表面上具有n-型外延层的硅晶片进行评价的方法，该方法包括：

通过在含氧气氛中把晶片暴露于紫外线，氧化晶片表面；以及

对氧化的晶片进行电容-电压测量以评价n-型外延层。

2．根据权利要求1的方法，其中，通过用紫外线照射含氧气氛，形成臭氧和原子氧。

3．根据权利要求2的方法，其中，紫外线的波长约为185nm和约为254nm。

4．根据权利要求1的方法，其中，对晶片进行所述电容-电压测量以评价n-型外延层的性能，性能选自基本上包含电阻率、掺杂剂浓度、斜率和平坦区域的组。

5．根据权利要求1的方法，其中，通过把晶片定位在距紫外线光源约2mm-5mm，使晶片暴露在臭氧和原子氧中。

6．根据权利要求1的方法，其中，紫外线光源在约185nm波长发射其能量的约65％，在约254nm波长发射其能量的约35％。

7．一种通过电容-电压测量对n-型外延硅晶片表面性能进行评价的方法，该晶片具有外延侧和非外延侧，该方法包括：

通过在有氧条件下把晶片暴露于紫外线而在晶片外延层上形成氧化层；以及

通过形成氧化层与汞柱之间的第一接触、和金属与晶片非外延侧之间的第二接触，制备肖特基二极管。

8．根据权利要求7的方法，其中，通过用紫外线照射含氧气氛，形成臭氧和原子氧。

9．根据权利要求7的方法，其中，对晶片进行所述电容-电压测量以评价n-型外延层的性能，性能选自基本上包含电阻率、掺杂剂浓度、斜率和平坦区域的组。

10．根据权利要求7的方法，其中，通过把晶片定位在距紫外线光源约2mm-5mm，使晶片暴露在臭氧和原子氧中。

11．根据权利要求7的方法，其中，紫外线光源在约185nm波长发射其能量的约65％，在约254nm波长发射其能量的约35％。

12．一种对其表面上具有p-型外延层的硅晶片进行评价的方法，该晶片具有外延侧和非外延侧，该方法包括：

将晶片放入处理室；

通过含氢氟酸水溶液的酸阱使惰性载体气体起泡，使载体气体富集氢氟酸蒸汽，形成包含载体气体和氢氟酸的气态混合物；

把气态混合物输送到处理室，使晶片暴露于该混合物，氢氟酸溶解晶片表面存在的氧化层；以及

对暴露晶片进行电容-电压测量以评价p-型外延层。

13．根据权利要求12的方法，其中，对晶片进行所述电容-电压测量以评价p-型外延晶片的性能，性能选自基本上包含电阻率、掺杂剂浓度、斜率和平坦区域的组。

14．根据权利要求12的方法，其中，仅溶解晶片外延侧表面上存在的氧化层。

15．根据权利要求12的方法，其中，晶片在气态混合物中暴露约20-30秒。

16．根据权利要求12的方法，其中，p-型外延晶片具有的电阻率小于约3欧姆^*cm，其中从晶片表面溶解氧化层之后，在晶片进行电容-电压测量之前表面被再氧化。