[发明专利]由若干阻性铁电存储单元组成的存储装置

权利要求书

1．由若干阻性铁电存储单元组成的存储装置，所述存储单元均由选择晶体管(T)和存储电容(C_铁)组成，而所述存储电容的一个电极(PL)位于固定的单元极板电压(V_极板)上，其另一电极(SN)则连接在所述选择晶体管的具有第一导通型的区(1)上，其中，所述选择晶体管(T)和存储电容(C_铁)装设在与第一导通型相反的第二导通型的半导体基片内或上，

其特征在于：

与所述存储电容(C_铁)相连的、选择晶体管(T)的区(1)通过一个电阻(R)连接在MOS晶体管(n⁺)的沟道上，所述MOS晶体管的沟道长度延伸了至少两个存储单元，而且其漏极与源极位于固定的单元极板电压(V_极板)上，这样，与所述存储电容(C_铁)相连的区(1)通过所述电阻(R)及MOS晶体管(n⁺)而被电气地连接在存储电容(C_铁)的一个电极(PL)上。

2．根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

所述电阻(R)通过相应地掺杂而被设置在半导体内；所述MOS晶体管的门极电压可如此地调整，使得MOS晶体管的整个沟道上都为固定的单元极板电压(V_极板)。

3．根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：

所述MOS晶体管的漏极和源极位于固定的单元极板电压(V_极板)上，而且所述MOS晶体管的门极还被加上一个电压(VS)，其作用为，对每个存储单元产生电流，以便补偿相对于半导体基片的寄生pn结的漏电流。

4．根据权利要求1～3之一所述的存储装置，其特征在于：

所述MOS晶体管的沟道延伸了多个存储单元。

5．根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于：

所述MOS晶体管的沟道延伸了20～100个存储单元。

6．根据权利要求1～5之一所述的存储装置，其特征在于：

所述MOS晶体管的漏极及源极具有与选择晶体管(T)的漏极(1)及源极(2)相同的导通型。

7．根据权利要求1～6之一所述的存储装置，其特征在于：

所述选择晶体管(T)的漏极(1)通过插栓(4)与存储电容(C_铁)的另一电极(SN)相接。

8．根据权利要求1～7之一所述的存储装置，其特征在于：

所述选择晶体管(T)的源极(2)通过插栓(3)与位线(AL-BL)相接。