[发明专利]玻璃镀膜方法

权利要求书

1．在玻璃基底表面沉积含有氧化钨的涂层的方法，包括把含有卤氧化钨或氯化钨和氧源的气流引入到玻璃基底表面上。

2．一种根据权利要求1的方法，其中，所述含有氧化钨的涂层包括一层氧化钨。

3．一种根据权利要求1或2的方法，其中，卤氧化钨包括氯氧化钨，优选的是四氯氧化钨。

4．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，卤氧化钨或氯化钨包括取代的卤氧化钨或氯化钨。

5．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述氧源包括酯。

6．一种根据权利要求5的方法，其中，所述的酯有3-6个碳原子。

7．一种根据权利要求5或6的方法，其中，所述的酯是乙酸乙酯或乙酸丁酯。

8．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述气流含有氧气。

9．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，卤氧化钨或氯化钨与氧源的比例使得氧化钨层沉积为非化学计量的氧化钨。

10．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述气流含有氟源。

11．一种根据权利要求10的方法，其中，所述氟源包括六氟乙烷、三氟乙酸或氧化六氟丙烯。

12．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，通过使惰性气体流过热的卤氧化钨或氯化钨以在气流中携带卤氧化钨或氯化钨。

13．一种根据权利要求12的方法，其中，卤氧化钨或氯化钨处在170-210℃范围内的温度下。

14．一种根据权利要求12或13的方法，其中，所述惰性气体包括氮气。

15．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述氧源包括酯，并且通过使所述酯与流动的惰性气体接触而携带于气流中。

16．一种根据权利要求15的方法，其中，所述酯处在30-45℃范围内的温度。

17．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述氧化钨层的厚度在70-180纳米范围内。

18．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述氧化钨层的沉积生长速度在3-25纳米/秒范围内。

19．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述氧化钨层用另一个层覆盖。

20．一种涂敷玻璃的方法，包括把含有钨化合物和氧源的气流引入到玻璃基底表面上，从而形成氧化钨层，其特征在于所述氧化钨层是非化学计量的，并且所述氧化钨层用另一个层覆盖。

21．一种根据权利要求19或20的方法，其中，所述另一个层包含金属氧化物。

22．一种根据权利要求19-21的方法，其中，所述另一个层包含氟掺杂的氧化锡。

23．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，在浮法玻璃生产过程中进行所述方法。

24．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述玻璃基底在500-720℃范围内的温度下。

25．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述玻璃基底在565-655℃范围内的温度下。

26．一种根据前面的权利要求的任一项的方法，其中，所述氧化钨层沉积在镀膜玻璃上。

27．一种根据权利要求26的方法，其中，所述镀膜玻璃具有含有氧化硅，优选的是含有碳的涂层。

28．一种涂敷玻璃的方法，包括通过使气体流过处在低于其熔点的温度下的钨化合物以在该气体中携带钨化合物，并把该气流引入到玻璃表面上，从而形成氧化钨层。

29．一种根据权利要求28的方法，其中，所述钨化合物是卤化钨、卤氧化钨或羰基钨。