[发明专利]薄膜式加热元件

权利要求书

1．一种薄膜式电加热元件，包括在一电绝缘基底上的一导电金属氧化物层，所述金属氧化物层搀杂至少一种稀土元素。

2．按照权利要求1所述的一种薄膜式加热元件，其中所述金属氧化物层包括至少两种稀土元素。

3．按照权利要求2所述的一种薄膜式加热元件，其中所述两种稀土元素以基本上相同的浓度出现在所述金属氧化物层之中。

4．按照权利要求2或3所述的加热元件，其中所述至少两种稀土元素包括铈和镧二者。

5．按照权利要求1所述的一种加热元件，其中所述金属氧化物是锡氧化物。

6．按照权利要求2所述的一种加热元件，其中所述金属氧化物层还包括基本上相同数量的施主和受主元素。

7．按照权利要求6所述的一种加热元件，其中所述施主和受主元素分别是锑和锌。

8．按照权利要求6所述的一种加热元件，其中所述金属氧化物层基本上是不含氟的。

9．按照权利要求1所述的一种加热元件，其中所述加热元件在20瓦特·厘米-2的功率密度下是稳定的。

10．按照权利要求1所述的一种加热元件，其中所述加热元件在650℃温度下是稳定的。

11．按照权利要求1所述的一种薄膜式加热元件，其中所述金属氧化物通过热解一种含有所述至少一种稀土元素的有机金属原溶液而淀积在所述基底上。

12．按照权利要求11所述的一种薄膜式加热元件，其中该或每一稀土元素在浓度高达5克分子％下出现在所述溶液之中。

13．按照权利要求12所述的一种薄膜式加热元件，其中所述至少一种稀土元素包括铈和镧二者。

14．按照权利要求13所述的一种薄膜式加热元件，其中铈和镧各自在大致上1.25克分子％至大致上3.75克分子％的范围内出现在所述溶液之中。

15．按照权利要求14所述的一种薄膜式加热元件，其中铈和镧各自在所述溶液之中的浓度是大致上2.5克分子％。

16．按照权利要求11所述的一种薄膜式加热元件，其中所述溶液还包括基本上相同数量的施主和受主元素。

17．按照权利要求16所述的一种薄膜式加热元件，其中所述施主和受主元素各自分别是锑和锌并各自在大致上2.8克分子％的浓度下出现在所述溶液之中。

18．按照权利要求11或13所述的一种薄膜式加热元件，其中所述原溶液是单丁基锡三氯化物(monobutyl tin trichlaride)。

19．一种用于制作一种薄膜式加热元件的方法，包括的步骤是：通过热解一含有至少一种稀土元素的有机金属原溶液而把一金属氧化物层淀积在一电绝缘基底上。

20．按照权利要求19所述的一种方法，其中所述溶液含有至少两种稀土元素。

21．按照权利要求20所述的一种方法，其中所述两种稀土元素以基本上相同的浓度出现在所述溶液之中。

22．按照权利要求19所述的一种方法，其中所述至少一种稀土元素在大致上1.25克分子％至大致上3.75克分子％的范围内出现在所述溶液之中。

23．按照权利要求20所述的一种方法，其中所述至少两种稀土元素包括铈和镧二者。

24．按照权利要求23所述的一种方法，其中所述铈和镧各自以基本上相同的浓度出现在所述溶液之中。

25．按照权利要求19所述的一种方法，其中所述原溶液是单丁基锡三氯化物。

26．按照权利要求19所述的一种方法，其中所述溶液还包括至少一种施主和至少一种受主元素的氯化物，所述施主氯化物和受主氯化物以基本上相同的浓度出现在所述溶液之中。

27．按照权利要求26所述的一种方法，其中所述施主氯化物是氯化锑和所述受主氯化物的氯化锌。

28．按照权利要求19所述的一种方法，其中所述原溶液基本上是不含氟的。

29．按照权利要求19所述的一种方法，还包括以下步骤：在温度高于所述热解期间所用的基底温度的情况下使所述基底上的所述金属氧化物层退火至少一小时。