[发明专利]部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物

权利要求书

1．一种至少部分还原铌氧化物的方法，包括在消气材料存在下，于允许氧原子从起始的铌氧化物转移至消气材料的气氛中，对铌氧化物进行足够时间与温度的热处理，以形成脱氧的铌氧化物。

2．权利要求1的方法，其中所述的铌氧化物为五氧化二铌。

3．权利要求1的方法，其中所述的脱氧铌氧化物为铌的低价氧化物。

4．权利要求1的方法，其中所述的脱氧铌氧化物所具有的铌对氧的原子比例为1∶小于2.5。

5．权利要求1的方法，其中所述的脱氧铌氧化物所具有的氧含量低于铌完全氧化的化学计量量。

6．权利要求1的方法，其中所述的脱氧铌氧化物具有微孔结构。

7．权利要求1的方法，其中所述的脱氧铌氧化物具有约50％的孔隙体积。

8．权利要求1的方法，其中所述的气氛是以约10 Torr至约2000 Torr的量存在的氢气。

9．权利要求1的方法，其中所述的消气材料是形成阳极时电容量至少为75000CV/g的铌消气材料。

10．权利要求1的方法，其中所述的气氛为氢气气氛。

11．权利要求1的方法，其中所述的消气材料为形成阳极时电容量为100000CV/g至约200000CV/g的铌消气材料。

12．权利要求1的方法，其中所述的热处理是在约1000℃至约1500℃的温度下进行约10至约90分钟。

13．权利要求1的方法，其中所述的消气材料先于或在热处理步骤的过程中与铌氧化物均质化。

14．权利要求1的方法，其中所述的消气材料是片状的铌消气材料。

15．权利要求1的方法，其中所述的消气材料在热处理之后形成脱氧的铌氧化物。

16．权利要求1的方法，其中所述的消气材料是含镁的消气材料。

17．权利要求1的方法，其中所述的消气材料包含氢化钽颗粒。

18．权利要求1的方法，其中所述的消气材料包含钽、铌，或二者都包含。

19．权利要求1的方法，其中所述的消气材料是14/40目的氢化钽颗粒。

20．权利要求1的方法，其中所述的消气材料是电容器级材料。

21．一种铌氧化物，具有的铌对氧的原子比例为1∶小于2.5。

22．权利要求21的铌氧化物，其中所述的原子比例为1∶小于2.0。

23．权利要求21的铌氧化物，其中所述的原子比例为1∶小于1.5。

24．权利要求21的铌氧化物，其中所述的原子比例为1∶1.1。

25．权利要求21的铌氧化物，其中所述的原子比例为1∶0.7。

26．权利要求21的铌氧化物，其中所述的原子比例为1∶0.5。

27．权利要求21的铌氧化物，其中所述的铌氧化物具有多孔结构。

28．权利要求21的铌氧化物，其中所述的铌氧化物具有约0.1至约10微米小孔的多孔结构。

29．权利要求21的铌氧化物，其中所述的铌氧化物包含NbO、NbO_0.7、NbO_1.1、或它们的组合。

30．权利要求21的铌氧化物，其中所述的铌氧化物形成电容量高达约300000CV/g的电解电容器阳极。

31．权利要求21的铌氧化物，其中还包含氮。

32．权利要求31的铌氧化物，其中所述的氮以约100ppm至约30000ppm的N₂存在。

33．权利要求21的铌氧化物，其中所述的铌氧化物形成电解电容器的阳极，所述的阳极具有约1000至约300000CV/g的电容量。