[发明专利]加工方法与装置无效
申请号: | 99812718.3 | 申请日: | 1999-10-28 |
公开(公告)号: | CN1324496A | 公开(公告)日: | 2001-11-28 |
发明(设计)人: | 今西诚;米泽隆弘;金山真司;片野良一郎;前贵晴 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 黄永奎 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 装置 | ||
1.一种加工方法,在使装载于加工平台(5)上的被加工对象(1)保持被吸附并经把上述被加工对象移动到规定位置的位置调整之后实施规定加工的加工方法中,使被装载的上述被加工对象在上述加工平台上承载并保持被吸附后从上述保持被吸附的不可移动状态变更为位置调整用可移动状态之后所进行的上述被加工对象的上述位置调整的
2.根据权利要求1所述的加工方法,上述位置调整用可移动状态为对上述被加工对象的吸附已减低直至解除的状态。
3.根据权利要求1或2所述的加工方法,在上述被加工对象于上述位置调整可移动状态下作了上述位置调整之后,改变上述被加工对象的吸附,使上述被吸附对象处于上述不可移动状态,其后对上述被加工对象实施上述规定加工。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的加工方法,上述规定加工是在使相应与上述加工而设定的加工专用的吸引装置(12)处于打开状态下把上述被加工对象吸附为上述不可移动状态而开始进行。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的加工方法,用集成电路芯片装载面已经被制成粗糙面的上述加工平台来进行上述位置调整和上述规定加工。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的加工方法,上述被加工对象是集成电路芯片、上述规定加工是随着在从加工平台侧面加热上述集成电路芯片并一边供给金属引线以超声波振动一边使其压在上述集成电路芯片的电极上让金属接合之后把后面的金属引线从接合的金属块切离而在上述集成电路芯片上形成金属冲点的冲焊加工。
7.根据权利要求1所述的加工方法,包括:上述规定加工是冲焊同时其上述被加工对象是电子部件(1),通过在具有使上述电子部件保持被吸附的吸附孔(C12)的加工平台(5)上的上述吸附孔使上述电子部件吸附在上述加工平台上时的吸附力由控制至少2类吸附力切换的部件切换为其中的第2吸附力的切换工序(S1),即,其中所述2类吸附力分别为在上述平台上使上述电子部件沿此平台有可能移动的第1吸附力和比上述第1吸附力更强的、使上述电子部件沿此平台不可能移动而保持吸附固定的第2吸附力;
把上述电子部件装载在上述平台上,通过上述平台(5)的上述吸附孔使上述电子部件以第2吸附力来保持被吸附的工序(S2);
把通过上述平台(5)的上述吸附孔使上述平台上的上述电子部件被吸附时的上述吸附力从上述第2吸附力切换为上述第1吸附力的工序(S3);
由上述第1吸附力使上述电子部件被保持吸附于上述平台上、由为确定位置之位置调整部件(7)使上述电子部件移动之位置调整工序(S4);
把上述吸附力由上述第1吸附力切换为上述第2吸附力以使位置已经确定的上述电子部件在上述平台上吸附保持为不可移动的工序(S5)以及进行上述规定加工冲焊的工序。
8.根据权利要求1所述的加工方法,包括:上述规定加工是冲焊同时其上述被加工对象是电子部件(1),通过在具有使上述电子部件(1)保持被吸附的位置调整用吸附孔(C11)的加工平台(5)上的上述位置调整用吸附孔使上述电子部件被吸附在上述加工平台上时的吸附力切换为至少2类吸附力中的第2吸附力的工序(S11),其中所述2类吸附力分别为在上述平台上使上述电子部件沿此平台有可能移动的第1吸附力和比上述第1吸附力更强的、使上述电子部件沿此平台不可能移动而保持吸附固定的第2吸附力;
把上述电子部件装载在上述平台上,通过上述平台(5)的上述位置调整用吸附孔使上述电子部件以第2吸附力保持吸附的工序(S12);
把通过上述平台(5)的上述位置调整用吸附孔使上述平台上的上述电子部件被吸附时的上述吸附力从上述第2吸附力切换为上述第1吸附力的工序(S13);
由上述第1吸附力使上述电子部件被保持吸附于上述平台上、由为确定位置的位置调整部件(7)使上述电子部件移动的位置调整工序(S14);
由上述平台的位置固定用吸附孔(C12)使上述位置已确定的上述电子部件保持被吸附的工序(S5)以及进行上述规定加工冲焊的工序。
9.根据权利要求7或8所述的加工方法,通过以上述平台向上述电子部件供热,使上述电子部件达到冲焊用温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造