[发明专利]加工方法与装置

说明书

本发明涉及使装载在加工平台上的被加工对象(如集成电路芯片等半导体部件等)保持被吸附，在把上述被加工对象进行了向规定位置移动的位置调整之后，实施规定加工(例如在集成电路芯片上形成冲点的冲焊加工等)的加工方法及其装置，更具体说，涉及使装载在加工平台上的例如形成半导体元件的集成电路芯片等半导体部件等被加工对象保持被吸附，在把上述半导体部件进行了向规定位置移动的位置调整之后，实施使在作为例如半导体部件的电极上形成突起电极的冲点的冲焊加工等规定加工的冲焊加工方法及其装置以及由此所得到的集成电路芯片。

在形成了具有集成回路的半导体元件的所谓集成电路芯片等半导体部件中，提高电子部件的微型化、回路基片的小型化、集成密度、回路基片上的组装密度，多数采用的是，在回路基片的装载面上密集电极与回路基片的对应电极和导体纹间表面对向连接通电的同时，使焊锡和粘合剂等结合成一体，这种组装就是所谓的面组装。

由于这种面组装，在集成电路芯片的各电极上已形成了金属冲点的回路基片之间的个别电连接就容易实现，这是早已知道的了。本申请人已经率先把采用引线键合为形成此金属冲点的方法的冲焊法付诸于实用。

参照图14、图5A～图5D，对此方法作一大概的说明。在如图5A～图5D中所示的被加工对象集成电路芯片1的一面1a上的电极2上，用金属引线3在一边超声振动下一边进行金属压焊，由此可以通过拔起和断开与金属块3a连接的后面的金属引线3而在电极2上形成金属冲点4。

具体说，图14是用金线3在集成电路芯片1上形成冲点的冲焊装置透视图。

图14中，在由吸附嘴111使由支架110所供给的集成电路芯片1保持被吸附住之后，通过移动吸附嘴111，使得芯片被固定在升温的平台151的集成电路芯片装载面(如上面)上。由提供超声波的单元所持有的毛细管34加上超声波，通过金线3在集成电路芯片1的电极上形成金的冲点。然后，在最终形成了必要数目冲点后的集成电路芯片1由吸附嘴111保持吸附并为另一个支架110a所接纳。

图5A～图5D是表示上述用已有的冲焊装置来形成冲点的工艺的工序图。

首先，图5A工序中，在毛细管34中通入金线3，使金线3前端火花放电，在前端形成球形圆珠部3a。

接着，图5B工序中，把毛细管34降下使前端球形圆珠部3a挤压在集成电路芯片1的电极2上。此时，加上超声波，使电极2与金线3接合(第1焊接)。

然后，图5C工序中，把毛细管34提上来，如环状移动那样控制下再次降下，如图5D工序所示那样，把毛细管34挤压在第1焊接过的金块上，切断金线3(第2焊接)。

下面详细说明上述已有的冲焊装置中的调整集成电路芯片1的位置的部分。

图6和图15A、图15B、图15C是调整集成电路芯片1的位置的部分的俯视图和位置调整动作的方框图。

如图15A所示，上述冲焊装置的位置调整部分是由设有4个吸附孔157的平台151、在XY方向可移动的L形位置调整爪152所构成，集成电路芯片1由位置调整爪152移至平台151的吸附孔157上面，在真空吸附下调整在平台151上的位置。若将其动作由方框图来说明，如图13所示，首先，通过真空泵开始吸附(步骤S51)、把由吸附嘴111保持吸附的集成电路芯片1装载在冲焊装置的平台151上，并由吸附孔157吸附集成电路芯片1(步骤S52，参照图15A)，用位置调整爪152在平台151上移动，由一定的吸附力来进行集成电路芯片1的位置调整(步骤S53，参照图15B)。也就是说，在此图15B中，位置调整爪152首先把集成电路芯片1向左方移动，之后向上方移动，由4个位置已经确定的吸附孔157来使集成电路芯片1保持吸附。其后，在集成电路芯片1的位置决定之后，位置调整爪152从实线位置回到点虚线位置(步骤S53，参照图15C)，然后对集成电路芯片1进行焊接。

本申请人在谋求此线焊法的方法、装置于实用中更高速、高质量中发现，在形成了集成电路芯片1的金属冲点4的回路基片等的装载面1a的反面1b有可以看见的细伤，产品的品牌和质量、式样等显示度是很为人所注目的，这样的伤并不是功能的缺陷，但关系到外观的质量。可以认为由伤的大小和深度，各阶段处理时的冲击等是造成缺陷或开裂的原因，除掉这点也就成了重要的课题。