[发明专利]用于低介电常数材料的氧化抛光淤浆无效
申请号: | 99813618.2 | 申请日: | 1999-09-23 |
公开(公告)号: | CN1334849A | 公开(公告)日: | 2002-02-06 |
发明(设计)人: | D·L·托维里;N·H·亨德里克斯;P·E·施林;T·A·陈 | 申请(专利权)人: | 联合讯号公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/3105 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴大建,周慧敏 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 介电常数 材料 氧化 抛光 | ||
1.一种用于抛光低介电常数材料或含有较大百分率的有机物质的材料的研磨剂组合物,所述组合物包含:
氧化淤浆,包括许多研磨剂颗粒,所述淤浆包含能与所述介电材料反应的氧化剂,以帮助除去所述介电材料。
2.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述研磨剂颗粒是基本上无活性的,且所述氧化剂是独立于所述颗粒的试剂。
3.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述研磨剂颗粒包括多价态,并可被还原,以提供所述氧化剂。
4.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述研磨剂颗粒包括多价态,且其中所述氧化剂是与所述研磨剂颗粒相容的独立氧化剂。
5.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述研磨剂颗粒选自一种或多种下述物质,包括碳或金刚石,或以下金属的碳化物、氮化物、氧化物或水合氧化物的一种,这些金属是锑、铝、硼、钙、铈、铬、铜、钆、锗、铪、铟、铁、镧、铅、镁、锰、钕、镍、钪、硅、铽、锡、钛、钨、钒、钇、锌或锆。
6.权利要求5的研磨剂组合物,其中所述研磨剂颗粒基本上从与无活性氧化物组合的活性金属氧化物形成。
7.权利要求6的研磨剂组合物,其中所述金属氧化物作为在所述无活性氧化物上的涂层形成。
8.权利要求6的研磨剂组合物,其中所述无活性氧化物是SiO2。
9.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述氧化剂是独立于所述颗粒的试剂,其中所述颗粒选自一种或多种硝酸铁、硝酸铜、硝酸氧锆、氯化铁、高锰酸钾、铁氰化钾、硝酸、有机和无机过氧化物,包括过氧化氢、过乙酸、碘酸钾和过氧化苯甲酰。
10.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述研磨剂颗粒具有多峰粒径分布。
11.权利要求10的研磨剂组合物,其中所述研磨剂颗粒具有双峰粒径分布,包括许多小直径的颗粒和第二种含量较少的许多较大直径的颗粒。
12.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述淤浆以分散体的形式形成,pH值的数量级为0.5-11。
13.权利要求12的研磨剂组合物,其中所述分散体具有数量级为1-5的pH值。
14.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述氧化淤浆以液体分散体的形式形成。
15.权利要求1的研磨剂组合物,其中所述氧化剂包括许多可还原的金属离子,该金属离子氧化所述介电材料。
16.一种用研磨剂组合物抛光低介电常数材料或含有较大百分比的有机物质的材料的方法,包括:
形成作为氧化淤浆的研磨剂组合物,其包括许多研磨剂颗粒,所述淤浆包括能与所述介电材料反应的氧化剂,以帮助从表面除去所述介电材料,以及用所述研磨剂组合物抛光该材料表面。
17.权利要求16的方法,包括从基本上无活性颗粒形成所述研磨剂颗粒,并形成独立于所述颗粒的所述氧化剂。
18.权利要求16的方法,包括从可还原形成所述氧化剂的多价态颗粒形成所述研磨剂颗粒和所述氧化剂。
19.权利要求16的方法,包括从多价态颗粒形成所述研磨剂颗粒,其中所述氧化剂是与所述研磨剂颗粒相容的独立氧化剂。
20.权利要求16的方法,包括形成所述研磨剂颗粒,其中所述研磨剂颗粒选自一种或多种下述物质,包括碳或金刚石,或以下金属的碳化物、氮化物、氧化物或水合氧化物中的一种,这些金属是锑、铝、硼、钙、铈、铬、铜、钆、锗、铪、铟、铁、镧、铅、镁、锰、钕、镍、钪、硅、铽、锡、钛、钨、钒、钇、锌或锆。
21.权利要求20的方法,包括基本上从活性金属氧化物和无活性氧化物形成所述研磨剂颗粒。
22.权利要求21的方法,包括形成作为在所述无活性氧化物上的涂层的所述金属氧化物。
23.权利要求21的方法,其中所述无活性氧化物是SiO2。
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