[发明专利]垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

一个引导元件，用于提供在一个方向上流过引导元件的增强电流；

一个状态改变元件用于保持被编程的状态，与引导元件串联连接以便引导元件和状态改变元件提供两个端子单元；

该引导元件和状态改变元件相互垂直对准。

2.权利要求1所定义的单元，其中引导元件由多晶硅制造。

3.权利要求2所定义的单元，其中多晶硅是掺杂的以便形成一个二极管。

4.权利要求1所定义的单元，其中引导元件是金属半导体肖特基二极管。

5.权利要求1所定义的单元，其中引导元件是结型场效应二极管具有连接到源极和漏极区之一的一个栅极。

6.权利要求1所定义的单元，其中引导元件是场效应二极管具有绝缘的连接到源极和漏极区之一的栅极。

7.权利要求1所定义的单元，其中引导元件是一个PN结型二极管，由非结晶半导体形成。

8.权利要求1所定义的单元，其中引导元件是一个齐纳二极管。

9.权利要求1所定义的单元，其中引导元件是一个雪崩二极管。

10.权利要求1所定义的单元，其中引导元件是一个隧道二极管。

11.权利要求1所定义的单元，其中引导元件是一个四层二极管(SCR)。

12.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件是一个反熔丝。

13.权利要求12所定义的单元，其中反熔丝由多晶硅形成。

14.权利要求12所定义的单元，其中反熔丝包括硅二极管。

15.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件是一个电介质击穿反熔丝。

16.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件是多晶硅半导体反熔丝。

17.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件是非结晶半导体反熔丝。

18.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件是一个金属灯丝电迁移熔丝。

19.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件是一个多晶硅电阻熔丝。

20.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件利用陷波感应迟滞。

21.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件利用一个铁电体电容。

22.权利要求1所定义的单元，其中状态改变元件利用霍尔效应器件。

23.权利要求1所定义的单元，其中引导元件包括一个二极管而状态改变元件包括一个反熔丝，和其中二极管能够承载足够改变反熔丝状态的电流。

24.权利要求1所定义的单元，其中引导元件包括一个再结晶半导体。

25.权利要求1所定义的单元，其中引导元件和状态改变元件包括非结晶硅。

26.权利要求1所定义的单元，其中该单元端子之一连接到字线。

27.权利要求26所定义的单元，其中该单元的其它端子连接到位线。

28.一种存储器单元包括：

一个柱体，通常具有矩形截面并且具有在一端上的引导元件和位于柱体另一端的状态改变元件，该引导元件在一个方向上更容易导通电流，该状态改变元件用于记录一个状态。

29.权利要求28所定义的存储器单元，其中引导元件包括一个二极管。

30.权利要求29所定义的存储器单元，其中二极管包括多晶硅。

31.权利要求28所定义的存储器单元，其中状态改变元件包括一个电介质击穿反熔丝。

32.权利要求31所定义的存储器单元，其中反熔丝包括一个硅二极管层，夹心在两层多晶硅之间。

33.权利要求28所定义的存储器单元，具有与引导元件接触的第一导体，第一导体具有近似等于矩形截面一边的宽度。