[发明专利]集成电路芯片的保护方法

权利要求书

1.硅晶片(10)上的集成电路芯片(100)的保护方法，晶片有其上设有集成电路芯片的正面和相对的背面，其特征是，方法包括以下步骤：

切割硅晶片(10)，把集成电路芯片(100)分开；

晶片的背面(104)上加流体绝缘材料(150)，用薄的绝缘层覆盖每个集成电路芯片(100)的侧面(106)。

2.按权利要求1的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，它还包括传输切割晶片(10)的步骤，使晶片(10)的背面(104)朝上，把晶片(10)输送到支架(110)上，保证在加绝缘材料(150)的过程中选择芯片(100)。

3.按权利要求1或2的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，通过用喷涂法在芯片(100)的背面(104)上来施加绝缘材料(150)。

4.按权利要求1或2的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，通过用刮板(200)和丝网(200)的丝网印刷法在芯片(100)的背面(104)上来施加绝缘材料(150)。

5.按权利要求1或2的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，通过用浇注法在芯片(100)的背面(104)上来施加绝缘材料(150)。

6.按权利要求1或2的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，通过把芯片(100)浸入装有绝缘材料(150)的料槽(300)中来施加绝缘材料(150)。

7.按权利要求1或2的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，通过将所述芯片(100)放在旋转盘上来把绝缘材料(150)分布在芯片(100)的背面(104)上，来施加绝缘材料(150)。

8.按权利要求1至7中任一权利要求的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，绝缘材料(150)有低粘度，使绝缘材料(150)能沿芯片(100)的侧面(104)流动。

9.按权利要求1至8中任一权利要求的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，绝缘材料(150)由有高硬度的和对硅有好粘接性的氧类树脂构成。

10.按权利要求1至9中任一权利要求的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，绝缘材料(150)由有低干萃取物的绝缘天然漆构成，形成薄的绝缘涂层。

11.按权利要求1至10中任一权利要求的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，绝缘材料(150)用彩色树脂构成，以允许选择用绝缘材料(150)覆盖的面积。

12.按权利要求11的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，用计算和辅助观察(CAV)检查用绝缘材料(150)覆盖的面积。

13.按前述任一权利要求的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，它包括以下步骤：

-硅晶片(10)的背面(104)上淀积保护层(115)；

-切割硅晶片(10)，分开每个集成电路芯片(100)；

-使分开的集成电路芯片(100)的背面(104)朝上，把芯片(100)输送到支架(110)上；

-除去背面(104)上的保护层(115)；

-芯片(100)的背面(104)和侧面上加绝缘材料；

-从支架(110)上取下芯片(100)；

-连接芯片(100)。

14.按权利要求13的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，硅晶片(10)的背面保护层(115)包括在紫外线下能降解的粘接剂，所述粘接剂在晶片(10)切割步骤之后降解并被剥离除去。

15.按权利要求13的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，支架(110)在加了绝缘材料(150)后在紫外线辐射下能降解的粘接剂。

16.按权利要求13的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，破碎位于支架(110)上的芯片(100)之间的绝缘材料(150)，取出芯片(100)。

17.按权利要求13的集成电路芯片(100)的保护方法，其特征是，切割支架(110)取出芯片(100)。